Al/nanocrystalline CeOx/Si/Al structures for heterojunction photodetectors

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBorisov, A. V.
dc.contributor.authorKorolevych, L. N.
dc.contributor.authorMaksimchuk, N. V.
dc.contributor.authorБорисов, О. В.
dc.contributor.authorКоролевич, Любомир Миколайович
dc.contributor.authorМаксимчук, Н. В.
dc.contributor.authorБорисов, А. В.
dc.contributor.authorКоролевич, Любомир Николаевич
dc.contributor.authorМаксимчук, Н. В.
dc.date.accessioned2015-03-20T14:26:28Z
dc.date.available2015-03-20T14:26:28Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractenA stable metal/nc-CeOx/Si structures were fabricated and investigated for the creation of heterojunction photodetectors. The photosensitivity of obtained structures in the visible range was 330 µA/lm·V. The value of the interface state density was of 7·10¹⁰ cm⁻²·eV⁻¹. DC dielectric constant of nanocrystalline CeOx film was about 15. Thin (80 nm) cerium oxide films in Al/nc-CeOx/Si/Al structures were obtained by the vacuum flash evaporation method. The effect of technological factors on the CeOx films microstructure as well as on photoelectric properties of the Al/nc-CeOx/Si/Al structures has been investigated. Electrophysical and photoelectric properties of the Al/nc-CeOx/Si/Al structures has been investigated. It was revealed that the nanocrystalline CeOx layer in the obtained Al/nc-CeOx/Si/Al structures is a semiconductor with an electronic conductivity. It’s volume resistivity is within the range of 0.5-30 MOhm·cm.uk
dc.description.abstractruИзготовлены и исследованы структуры метал/нанокристаллический-CeOx/Si с целью создания фотодетекторов на основе гетероперехода. Фоточувствительность полученных структур в видимом диапазоне составляет 330 мкA/Лм·В, плотность поверхностных состояний – на уровне 7·10¹⁰ см⁻²·еВ⁻¹. Диэлектрическая проницаемость пленок CeOx на постоянном токе достигает значения 15. Тонкие (80 нм) пленки оксида церия в структурах Al/nc-CeOx/Si/Al были получены методом «взрывного испарения». Исследовано влияние технологических факторов на микроструктуру пленок CeOx, а также на фотоэлектрические свойства структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Обнаружено, что нанокристаллическая пленка CeOx в полученных структурах Al/nc-CeOx/Si/Al - это полупроводник с электронным типом электропроводности и объемным сопротивлением в пределах 0,5-30 МОм·см.uk
dc.description.abstractukВиготовлено та досліджено структури метал/нанокристалічний-CeOx/Si з метою створення фтотодетекторів на основі гетеропереходу. Фоточутливість отриманих структур у видимому діапазоні становить 330 мкA/Лм·В, густина поверхневих станів – на рівні 7·10¹⁰ см⁻²·еВ⁻¹. Діелектрична проникненість плівок CeOx на постійному струмі становить 15. Тонкі (80 нм) плівки оксиду церію в структурах Al/nc-CeOx/Si/Al були отримані методом «вибухового випаровування». Було досліджено вплив технологічних факторів на мікроструктуру плівок CeOx, а також на фотоелектричні властивості структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Досліджено електрофізичні та фотоелектричні властивості структур Al/nc-CeOx/Si/Al. Виявлено, що нанокристалічна плівка CeOx в отриманих структурах Al/nc-CeOx/Si/Al – це напівпровідник з електронним типом електропровідності та об’ємним опором в межах 0,5-30 МОм·см.uk
dc.format.pagerangeС. 9-13uk
dc.identifier.citationBorisov A. V. Al/nanocrystalline CeOx/Si/Al structures for heterojunction photodetectors / A. V. Borisov, L. N. Korolevych, N. V. Maksimchuk // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 6(83). – С. 9–13. – Бібліогр.: 9 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/11038
dc.language.isoenuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceElectronics and Communications : научно-технический журнал, № 6(83)uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectheterojunctionen
dc.subjectnanocrystalline cerium oxide filmsen
dc.subjectmetal/oxide/semiconductor photodiodeen
dc.subjectAl/CeOx/Si/Al structureen
dc.subjectСеОхen
dc.subjectгетероперехідuk
dc.subjectнанокристалічні плівки оксиду церіюuk
dc.subjectМДН-фотодіодuk
dc.subjectструктура Al/CeOx/Si/Aluk
dc.subjectСеОхuk
dc.subjectгетеропереходru
dc.subjectнанокристаллические пленки оксида церияru
dc.subjectМДП-фотодиодru
dc.subjectструктура Al/CeOx/Si/Alru
dc.subjectСеОхru
dc.subject.udc621.382, 621.383uk
dc.titleAl/nanocrystalline CeOx/Si/Al structures for heterojunction photodetectorsuk
dc.title.alternativeСтруктури Al/нанокристалічний CeOx/Si/Al для фотодетекторів на основі гетеропереходуuk
dc.title.alternativeСтруктуры Al/нанокристаллический CeOx/Si/Al для фотодетекторов на основе гетеропереходаuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2.pdf
Розмір:
211.53 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 6(83)