Тонкоплівкові сонячні елементи на основі нанокристалічного кремнію
dc.contributor.author | Коваль, В. М. | |
dc.contributor.author | Богдан, О. В. | |
dc.contributor.author | Іващук, А. В. | |
dc.contributor.author | Якименко, Ю. І. | |
dc.date.accessioned | 2020-10-27T15:01:54Z | |
dc.date.available | 2020-10-27T15:01:54Z | |
dc.date.issued | 2012 | |
dc.description.abstracten | The aim of this paper is to determine advantages and disadvantages of replacing amorphous silicon by nanocrystalline one in thin film solar cells with different structures. Review of national and international literature has shown the effective technologic ways of replacing amorphous silicon by nanocrystalline one in each of three possible structures of photovoltaic cells: structure of a p-n-junction, cascade or multi-layered structure and НIT structure. In this paper the design and technologic features of thin film photovoltaic cells based on nanocrystalline silicon are presented taking into account the type of technologic layer replacing this material (wide-band window layer, i-layer, base, buffer or tunnel layer). We discover that the new design of solar cells – HIT structure – is optimal in terms of efficiency of solar energy conversion, cost and technologic simplicity of the device showing the prospects of this novel structure of photovoltaic cells for mass production. | uk |
dc.description.abstractru | Установлены преимущества и недостатки замещения аморфного кремния нанокристаллическим в тонкопленочных солнечных элементах различной структуры. Обзор отечественных и мировых литературных ис-точников показал технологические пути эффективной замены аморфного материала нанокристаллическим в каждой из трех возможных конструкций фотоэлектрических преобразователей: структуре с одним p-n-переходом, каскадной, или многослойной структуре, и НІТ-структуре. Приведены конструктивно-технологические особенности тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей на основе нанокристаллического кремния с учетом типа технологического слоя, который замещает данный материал (широкозонное окно, і-слой, базовая область, буферный или туннельный слой). Было установлено, что новая конструкция сол-нечных элементов – НІТ-структура – является оптимальной с точки зрения эффективности преобразования солнечной энергии, стоимости и технологической простоты реализации прибора, что позволяет констатировать перспективность этой новой структуры фотоэлектрических преобразователей для массового производства. | uk |
dc.description.abstractuk | Встановлено переваги та недоліки заміщення аморфного кремнію нанокристалічним у тонкоплівкових сонячних елементах різної структури. Огляд вітчизняних і світових джерел показав технологічні шляхи ефективної заміни аморфного матеріалу нанокристалічним у кожній з трьох можливих конструкцій фотоелектричних перетворювачів: структурі з одним p-n-переходом, каскадній або багатошаровій структурах та НІТ-структурі. Наведено конструктивно-технологічні особливості тонкоплівкових фотоелектричних перетворювачів на основі нанокристалічного кремнію, враховуючи тип технологічного шару, який заміщує цей матеріал (широкозонне вікно, і-шар, базова область, буферний чи тунельний шар). Було встановлено, що нова конструкція сонячних елементів — НІТ-структура — є оптимальною з точки зору ефективності перетворення сонячної енергії, вартості та технологічної простоти реалізації приладу, що дає змогу констатувати перспективність цієї нової структури фотоелектричних перетворювачів для масового виробництва. | uk |
dc.format.pagerange | С. 19–26 | uk |
dc.identifier.citation | Тонкоплівкові сонячні елементи на основі нанокристалічного кремнію / В. М. Коваль, О. В. Богдан, А. В. Іващук, Ю. І. Якименко // Наукові вісті НТУУ «КПІ» : міжнародний науково-технічний журнал. – 2012. – № 5(85). – С. 19–26. – Бібліогр.: 30 назв. | uk |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/37003 | |
dc.language.iso | uk | uk |
dc.publisher | НТУУ «КПІ» | uk |
dc.publisher.place | Київ | uk |
dc.source | Наукові вісті НТУУ «КПІ»: міжнародний науково-технічний журнал, № 5(85) | uk |
dc.subject.udc | 621.383 | uk |
dc.title | Тонкоплівкові сонячні елементи на основі нанокристалічного кремнію | uk |
dc.title.alternative | Nanocrystalline Silicon thin Film Solar Cells | uk |
dc.title.alternative | Тонкопленочные солнечные элементы на основе нанокристаллического кремния | uk |
dc.type | Article | uk |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- 2012-5-3.pdf
- Розмір:
- 146.12 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 8.98 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: