Мономолекулярні нанопровідники і нанонапівпровідники на основі внцутрішньо-допованих діамондоїдів
Ескіз недоступний
Дата
2011
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"
Анотація
Звіт про НДР: 194 стор., 102 рисуна, 7 таблиць, 257 джерел.
Об’єкт дослідження – нанорозмірні діамондоїди (діамантан, тріамантан, тетрамантан, пентамантан та їх функціональні похідні та гетероаналоги).
Мета роботи – розробка методів селективного введення різноманітних функціональних груп в наперед задані положення молекули діамондоїду (зовнішнє допування), а також заміна атомів вуглецю в певних положеннях діамондоїду на гетероатоми (О, N, S) (внутрішнє допування).
Мета дослідження – розробка за допомогою комп’ютерного моделювання та хімічного синтезу методів селективного введення різноманітних функціональних груп в наперед задані положення молекули діамондоїду та виявлення залежності їх електрофізичних властивостей від методу допування та характеру допанта.
За допомогою комп’ютерного моделювання було оптимізовано геометрію, розраховано залежність електронних властивостей діамондоїдів від їх розміру; наявності як одного, так і двох різних замісників в молекулі (зовнішнє допування); від заміни атомів вуглецю в певних положеннях діамондоїду (внутрішнє допування) одним та двома гетероатомами. Розроблено методи селективного введення різноманітних функціональних груп в наперед задані положення молекули діамондоїду, а також синтез діамондоїдів із заміною атомів вуглецю в певних положеннях діамондоїду на гетероатоми (О, N), синтезовано функціональні похідні гетеродіамондоїдів. Досліджено електрофізичні властивості одержаних таким чином зразків, а саме зроблені рентгенівські та УФ фотоелектронні, раманівські та фотолюмінесцентні спектри. Експериментально виміряно ширину забороненої зони допованих діамондоїдів та інші характеристики отриманих сполук. Вивчено властивості самоорганізуючихся моношарів деяких допованих діамондоїдів на поверхнях золоту та серебра. Це дозволило виявити галузі застосування допованих діамондоїдів в наноелектроніці та знайти залежності їх електрофізичних властивостей від методу допування та характеру допанта. Розроблено концепцію впливу природи і кількості допуючих атомів на електрофізичні властивості нанодіамантів, ефективні методи синтезу допованих діамондоїдів та селективного введення різноманітних функціональних груп в наперед задані положення молекули діамондоїду. Одержані результати дозволили вперше одержати мономолекулярні діамантові провідники і напівпровідники з контрольованим розміром забороненої зони.
Опис
Ключові слова
діамондоїди, наноалмази, допування, самоутворені моношари, наноелектроніка
Бібліографічний опис
Мономолекулярні нанопровідники і нанонапівпровідники на основі внцутрішньо-допованих діамондоїдів : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. А. А. Фокін. - К., 2011. - 195 л. + CD-ROM. - Д/б №2227-ф