Infrared detectors based on ternary semiconductor quantum structures

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorSaurova, Tatiana
dc.contributor.authorBaida, Irirna
dc.contributor.authorСаурова, Тетяна Асадівна
dc.contributor.authorБайда, І. П.
dc.date.accessioned2017-05-01T16:57:52Z
dc.date.available2017-05-01T16:57:52Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractenThe development of growth process of multilayer semiconductor structures enables investigation of a new class of infrared detectors – detectors on quantum structures. The current trends of infrared receivers’ development are caused by active material research for a variety of nanostructures. The current state of development of infrared quantum structure detectors using ternary semiconductor alloys is considered. The maximal detectivity values of traditional detectors and quantum structure detectors are presented. The analysis of parameters for different types of materials and structures is performed.en
dc.description.abstractruСовершенствование технологии выращивания полупроводниковых многослойных структур способствует созданию нового класса приемников инфракрасного излучения – детекторов на квантовых структурах. Современный этап разработок ИК-приемников характеризуется активными исследованиями материалов для различных наноструктур. Наиболее востребованным полупроводниковым материалом для создания традиционных ФД ИК-диапазона является HgCdTe. Однако низкий процент выхода годных структур на основе HgCdTe повышает стоимость прибора. Рассмотрено состояние разработок ИК-детекторов на квантовых структурах с применением трехкомпонентных полупроводниковых твердых растворов. Представлены максимальные значения обнаружительной способности традиционных ФД и ФД на квантовых структурах. Проведен анализ параметров для различных материалов и типов структур.ru
dc.description.abstractukУдосконалення технології вирощування напівпровідникових багатошарових структур сприяє створенню нового класу приймачів інфрачервоного випромінювання - детекторів на квантових структурах. Сучасний етап розробок ІЧ-приймачів характеризується активними дослідженнями матеріалів для різних наноструктур. Найбільш затребуваним напівпровідниковим матеріалом для створення традиційних ФД ІЧ-діапазону є HgCdTe. Однак низький відсоток виходу придатних структур на основі HgCdTe підвищує вартість приладу. Розглянуто стан розробок ІЧ-детекторів на квантових структурах із застосуванням трикомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Представлені максимальні значення виявляючої здатності традиційних ФД і ФД на квантових структурах. Проведено аналіз параметрів для різних матеріалів і типів структур.uk
dc.format.pagerangePp. 65-71uk
dc.identifier.citationSaurova T. Infrared detectors based on ternary semiconductor quantum structures / T. Saurova, I. Baida // Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування : збірник наукових праць. – 2016. – Вип. 52(2). – С. 65–71. – Бібліогр.: 62 назви.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/19357
dc.language.isoenuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceВісник НТУУ «КПІ». Приладобудування : збірник наукових працьuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectinfrared photodetectorsen
dc.subjectbulk detectorsen
dc.subjectquantum well infrared detectorsen
dc.subjectquantum dot infrared detectorsen
dc.subjectsuperlatticesen
dc.subjectdetectivityen
dc.subjectнадградкова структураuk
dc.subjectдетектор інфрачервоного діапазонуuk
dc.subjectнадграткаuk
dc.subjectтрикомпонентні напівпровідникиuk
dc.subjectтвердий розчинuk
dc.subjectфотодетекторuk
dc.subjectвиявляюча здатністьuk
dc.subjectсверхрешеточная структураru
dc.subjectИК детекторru
dc.subjectсверхрешеткаru
dc.subjectтрехкомпонентные полупроводникиru
dc.subjectтвердый растворru
dc.subjectфотодетекторru
dc.subjectобнаружительная способностьru
dc.subject.udc621.382(075.8)uk
dc.titleInfrared detectors based on ternary semiconductor quantum structuresen
dc.title.alternativeІнфрачервоні детектори на основі потрійних напівпровідникових квантових структурuk
dc.title.alternativeИнфракрасные детекторы на основе тройных полупроводниковых квантовых структурru
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
12Saurova.pdf
Розмір:
314.42 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових праць, Вип. 52(2)