Дослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТимофєєв, Володимир Івановичuk
dc.contributor.advisorTimofeev, Volodymyr Ivanovychen
dc.contributor.advisorТимофеев, Владимир Ивановичru
dc.contributor.degreedepartmentфізичної та біомедичної електронікиuk
dc.contributor.degreefacultyелектронікиuk
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»uk
dc.date.accessioned2017-01-31T10:52:11Z
dc.date.available2017-01-31T10:52:11Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractenInvestigation of nanomaterials and prediction of ternary nitrides abilities was carries out for application in the development of ultrahighfrequency micro- and nanoelectronics components. Analysis of dynamical and highfrequency properties of ternary nitrides has shown the possibilities of its application for device development for frequencies up to the hundreds of gigahertz and formation of picosecond pulses. Mathematical models for analysis of the dynamical properties of resonant-tunneling diodes were developed; application were developed intended for analysis and visualization of characteristics and design of resonant-tunneling diodes for superlattices nanostructures. Modeling of electrical parameters of the low-dimensional structures was carried out, incl. double-junction field-effect heterotrsnsistors and quantum dot transistors.en
dc.description.abstractruПроведено исследование наноматериалов и прогнозирование возможностей тринитридов для использования при создании сверхбыстродействующих и сверхвысокочастотных компонентов микро- и наноэлектроники. Проведенный анализ динамических и высокочастотных свойств тринитридов показал возможность их использования для создания приборов на частоты до сотен гигагерц и формирования пикосекундных импульсов. Разработаны математические модели для анализа динамических свойств резонансно- туннельных диодов, создано программное приложение, пригодное для анализа и визуализации характеристик и проектирования резонансно-туннельных диодов и сверхрешеточных наноструктур. Проведено моделирование электрических параметров структур низкой размерности, в том числе двухпереходных полевых гетеротранзисторов и транзисторов с квантовыми точками.ru
dc.description.abstractukПроведено дослідження наноматеріалів і прогнозування можливостей тринітридів щодо їх використання для створення надшвидкодіючих і надвисокочастотних компонентів мікро- і наноелектроніки. Виконананий аналіз динамічних та високочастотних властивостей тринітридів показав можливість їх використання для створення приладів на частоти до сотень гігагерц та формування пікосекундних імпульсів. Розроблено математичні моделі для аналізу динамічних властивостей резонансно- тунельних діодів, створено програмний за стосунок, придатний для аналізу і візуалізації характеристик та проектування резонансно-тунельних діодів та надграткових наноструктур. Проведено моделювання електричних параметрів структур низької розмірності, в тому числі двоперехідних польових гетеротранзисторів та транзисторів з квантовими точками.uk
dc.format.page3 с.uk
dc.identifier2428-пuk
dc.identifier.govdoc0111U000774
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/18670
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectнаноматеріалиuk
dc.subjectтринітридиuk
dc.subjectгетеротранзисториuk
dc.subjectматематичні моделіuk
dc.subjectрезонансно-тунельні діодиuk
dc.titleДослідження новітніх напівпровідникових наноматеріалів і їх сполук для впровадження у технологіях виготовлення низькорозмірних електронних приладівuk
dc.title.alternativeInvestigation of the novel semiconductor materials and compounds for implementation in the low-dimensional electron devices manufacturing technologiesen
dc.title.alternativeИсследование новейших полупроводниковых наноматериалов и их соединений для использования в технологиях изготовления низкоразмерных электронных приборовru
dc.typeTechnical Reportuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2012_2428-p.pdf
Розмір:
308.49 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.65 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Анотовані описи звітів про НДР (ЕІ)
Анотовані описи завершених науково-дослідних робіт КПІ ім. Ігоря Сікорського