Методика построения и верификация нелинейной модели EEHEMT для GaN HEMT транзистора

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКоколов, Андрей Александрович
dc.contributor.authorБабак, Леонид Иванович
dc.date.accessioned2018-03-05T13:48:04Z
dc.date.available2018-03-05T13:48:04Z
dc.date.issued2015
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347015100015uk
dc.description.abstractruРассмотрена формализованная методика, позволяющая на основе измеренных малосигнальных S-параметров и вольт-амперных характеристик выполнить экстракцию параметров нелинейной модели EEHEMT полевого СВЧ транзистора. В качестве примера построена модель отечественного 0,15 мкм GaN HEMT транзистора, работающего в диапазоне миллиметровых волн. Правильность и точность построения нелинейной модели верифицируется при помощи измерений выходной мощности и нагрузочных характеристик транзистора в режиме большого сигнала.uk
dc.description.sponsorshipРабота выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации по контракту № 02.G25.31.0091.uk
dc.format.pagerangeС. 3-14uk
dc.identifier.citationКоколов, А. А. Методика построения и верификация нелинейной модели EEHEMT для GaN HEMT транзистора / А. А. Коколов, Л. И. Бабак // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2015. – Т. 58, № 10 (640). – C. 3–14. – Библиогр.: 17 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347015100015
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/22250
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ «КПИ»uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2015, Т. 58, № 10 (640)uk
dc.subjectСВЧ транзисторuk
dc.subjectнелинейная модельuk
dc.subjectэкстракцияuk
dc.subjectизмерениеuk
dc.subjectнагрузочная характеристикаuk
dc.subjectGaN HEMTuk
dc.subject.udc621.382.383uk
dc.titleМетодика построения и верификация нелинейной модели EEHEMT для GaN HEMT транзистораuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2015-10-03.pdf
Розмір:
59.75 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника: международный ежемесячный научно-технический журнал, Т. 58, № 10 (640)