Нейронный входной подпороговый КМОП-усилитель сверхмалой мощности с высоким входным импедансом

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorХан, С. Р.
dc.contributor.authorНадим, Ирам
dc.date.accessioned2020-06-01T21:03:30Z
dc.date.available2020-06-01T21:03:30Z
dc.date.issued2019
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347019030051uk
dc.description.abstractruВ статье предложен входной усилитель (ВУ) сверхмалой мощности с управлением по напряжению, который предназначен для нейронных применений и отличается подпороговой (subthreshold) конструкцией. За последние несколько десятилетий этой теме посвящено много исследовательских работ в области вживляемых медицинских протезов, ориентированных на контроль и лечение неврологических расстройств, таких как слуховые дисфункции и нарушения функции зрения, эпилепсия, болезнь Паркинсона, паралич. ВУ выполняет важную функцию по обнаружению сигнала в системах неврологического мониторинга для обеспечения точности воспроизведения биосигналов. Согласованная схема на базе двойной МОП структуры с обратной связью используется для компенсации входных токов утечки, генерируемых малошумящим усилителем, выполненным в виде интегральной схемы, что является главной причиной очень большой потери сигнала в цепи смещения на входе. Эта топология с замкнутым контуром обеспечивает поддержание высокого импеданса ВУ в широком диапазоне частот входного сигнала. Предлагаемый ВУ выполнен при использовании 0,18 мкм КМОП-технологии компании SK Hynix. Этот ВУ потребляет мощность 320 нВт при занимаемой площади 0,016 мм^2 и достигает значения входного импеданса 44,9 ГОм при уровне шума 153 нВ/Гц^(1/2), приведенного ко входу.uk
dc.description.sponsorshipДанное исследование получило поддержку научно-исследовательского фонда Университета Чосон в 2016 году.uk
dc.format.pagerangeC. 167-176uk
dc.identifier.citationХан, С. Р. Нейронный входной подпороговый КМОП-усилитель сверхмалой мощности с высоким входным импедансом / С. Р. Хан, И. Надим // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2019. – Т. 62, № 3 (681). – C. 167–176. – Библиогр.: 15 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S0021347019030051
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/33952
dc.language.isoruuk
dc.publisherКПИ им. Игоря Сикорскогоuk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2019, Т. 62, № 3 (681)uk
dc.subjectвходной усилительuk
dc.subjectподпороговыйuk
dc.subjectдвойная МОП структураuk
dc.subjectток утечкиuk
dc.subjectвходной импедансuk
dc.subject.udc621.375.4uk
dc.titleНейронный входной подпороговый КМОП-усилитель сверхмалой мощности с высоким входным импедансомuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2019-03_167-176.pdf
Розмір:
66.28 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница, библиография
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, Т. 62, № 3 (681)