Розробка засобів проєктування та технології виготовлення енергонезалежних сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроїв підвищеної швидкодії комп’ютерних систем критичного застосування
| dc.contributor.advisor | Стіренко, С. Г. | |
| dc.contributor.advisor | Styrenko, Serdii G. | |
| dc.date.accessioned | 2024-03-20T12:16:06Z | |
| dc.date.available | 2024-03-20T12:16:06Z | |
| dc.date.issued | 2019 | |
| dc.description.abstract | Обґрунтовано застосування щілинних високочастотних (ВЧ) катодних джерел з непрямим охолодження мішені для пошарового осадження компонентів на підкладку з їх переміщенням над поверхнею мішені. Допрацьовано конструкції джерел для осадження сегнетоелектричної плівки із оксидів цирконію-гафнію та цирконатутитанату свинцю, орієнтованих на застосування мішеней з розмірами 68х30х5мм із порошків оксидів гафнію, цирконію, титану, свинцю. Розроблено альтернативну технологію осадження сегнетоелектричної плівки з високим рівнем стехіометрії компонентів, яка базується на використанні створеного ВЧ катодного розпилення одно та багатокомпонентних мішеней для осадження плівки на кремнієві підкладки діаметром 40 мм. Основою технології елементів, накопичувачів є застосування високопровідних стійких бар’єрних шарів оксидів з хрому, нікелю та кобальту між поверхнями плівки та електродами. Отримано якісну плівку оксиду цирконату-титанату свинцю Pb(Zr,Ti)O3 в 30 нм. Надто важливим в технології є застосування акустичної стимуляції. Розроблено методику вимірів характеристик імпульсного перемикання поляризації надтонкої сегнетоелектричної плівки, досліджено електричну поляризацію елементів на товстій (100 мкм) та тонкій (30-100 нм) плівці. Розроблено та доопрацьовано математичні моделі поляризації, що визначають залишкову поляризацію в конденсаторі від часу дії та амплітуди імпульсних сигналів перемикання, і на їх основі розроблено поведінкові моделі, які визначають зміну поляризації з часом при довільній формі сигналу на конденсаторі. Розроблено моделі елементів і накопичувачів системи автоматизованого проєктування пристроїв в середовищі PSPICE. Виконано схемотехнічне, технологічне та топологічне проєктування експериментальних зразків накопичувачів з руйнівним та неруйнівним зчитуванням, виготовлено та досліджено комплекти фотошаблонів та накопичувачі зі структурою 16х16 та 32х16 (чисел- х-розрядів). | |
| dc.description.abstractother | The use of slit high-frequency (HF) indirect cathode sources with indirect cooling of the target for the layer-by-layer deposition of the components on the substrate with their movement over the target surface is substantiated. Designs of sources for the deposition of ferroelectric film from zirconium-hafnium oxides and lead zirconate-titanate, focused on the use of targets with dimensions 68x30x5mm from powders of hafnium, zirconium, titanium, lead oxides, have been finalized. An alternative technology for depositing a ferroelectric film with a high level of stoichiometry of components is developed, based on the use of the created RF cathodic sputtering of single and multi-component targets for deposition of a film on silicon substrates with a diameter of 40 mm. The technology of the elements, the drives, is based on the application of high conductive barrier layers of oxides of chromium, nickel and cobalt between the film surfaces and the electrodes. A quality film of lead zirconate-titanate oxide Pb (Zr, Ti) O3 at 30 nm was obtained. Too important in technology is the use of acoustic stimulation. A method for measuring the characteristics of the pulse switching polarization of a superfine ferroelectric film has been developed, and the electrical polarization of elements on a thick (100 μm) and thin (30-100 nm) film has been investigated. Mathematical models of polarization, which determine the residual polarization in the capacitor from the action time and amplitude of the switching pulse signals, have been developed and refined, and based on them behavioral models have been developed that determine the polarization change with time at an arbitrary signal on the capacitor. The models of elements and drives of the computer-aided design system of devices in the PSPICE environment have been developed. Schematic, technological and topological design of experimental samples of drives with destructive and non-destructive readings were performed, sets of photo templates and drives with structure 16x16 and 32x16 (numbers-x-digits). | |
| dc.format.extent | 7 c. | |
| dc.identifier.govdoc | 117U002505 | |
| dc.identifier.other | 2031 | |
| dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/65670 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | КПІ ім. Ігоря Сікорського | |
| dc.publisher.place | Київ | |
| dc.title | Розробка засобів проєктування та технології виготовлення енергонезалежних сегнетоелектричних запам’ятовуючих пристроїв підвищеної швидкодії комп’ютерних систем критичного застосування | |
| dc.title.alternative | Development of design tools and technology for the production of nonvolatile ferroelectric storage devices for high-performance critical-computer systems | |
| dc.type | Technical Report |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- 2019_2031_1.pdf
- Розмір:
- 752.39 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 8.98 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: