Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТимофєєв В.
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"uk
dc.date.accessioned2011-12-09T13:44:57Z
dc.date.available2011-12-09T13:44:57Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractМетою роботи є створення інформаційного забезпечення для моделювання перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання наноструктурних електронних приладів: багатошарових гетеротранзисторних структур, включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзисторів із квантовими точками, приладів та структур з резонансним тунелюванням для розроблення і впровадження технологій їх виготовлення. Робота спрямована на математичне моделювання для створення теоретичних засад і розроблення перспективних напівпровідникових нанометрових приладів для надшвидкодіючих інтегральних схем гіга- і терагерцового діапазону та інформаційного забезпечення технологій їх виготовлення. В даній роботі показана можливість моделювання електричних властивостей тринітридних сполук з різними модифікаціями кристалічної решітки в сильних електричних полях та запропоновано набір вхідних даних, що забезпечує адекватність моделювання. Запропоновані методика і програмні засоби для моделювання характеристик широкого кола напівпровідникових нанометрових приладів; включаючи гетеробіполярні транзистори, гетеротранзистори із квантовими точками, прилади та структури з резонансним тунелюванням: топологія і конструкції перспективних напівпровідникових нанометрових приладів. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми сприяють створенню сучасних напівпровідникових компонентів для телекомунікаційних систем і систем обробки сигналів, розвитку нанотехнологій.uk
dc.identifierкод КВНТД І.2 12.11.13
dc.identifier№ держреєстрації 0109U000658
dc.identifierД/б №2244-п
dc.identifier.citationДослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур : звіт про НДР (заключ.) / НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Тимофєєв. - К., 2010. - 192 л. + CD-ROM. - Д/б №2244-пuk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/1247
dc.language.isoukuk
dc.rightsЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.uk
dc.subjectтринітридиuk
dc.subjectмеханізми розсіюванняuk
dc.subjectчаси релаксаціїuk
dc.subjectсильне електричне полеuk
dc.subjectрезонансно-тунельний діодuk
dc.subjectсамоузгоджена модельuk
dc.subjectгетеротранзистор з квантовими точкамиuk
dc.subjectпасивні нанокомпонентиuk
dc.subjectвуглецеві нанотрубкиuk
dc.subjectгетеробіполярний транзисторuk
dc.subjectелектротепловий аналізuk
dc.titleДослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структурuk
dc.typeTechnical Reportuk

Файли

Зібрання

Звіти про науково-дослідні роботи (доступ у чит. залі № 6.6 НТБ)