Моделювання темплетних наноструктур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛяхова, Н. М.
dc.contributor.authorОсінський, В. І.
dc.contributor.authorСеменовська, О. В.
dc.contributor.authorСуховій, Н. О.
dc.contributor.authorТимофєєв, В. І.
dc.contributor.authorФалєєва, О. М.
dc.contributor.authorLyahova, N. M.
dc.contributor.authorOsinskiy, V. I.
dc.contributor.authorSemenovskaya, E. V.
dc.contributor.authorSuhoviy, N. O.
dc.contributor.authorTimofeev, V. I.
dc.contributor.authorFaleeva, E. M.
dc.contributor.authorЛяхова, Н. Н.
dc.contributor.authorОсинский, В. И.
dc.contributor.authorСеменовская, Е. В.
dc.contributor.authorСуховий, Н. О.
dc.contributor.authorТимофеев, В. И.
dc.contributor.authorФалеева, Е. М.
dc.date.accessioned2015-03-18T15:38:02Z
dc.date.available2015-03-18T15:38:02Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractenThe purpose of paper is to find the optimal parameters for decreasing dislocations in templet nanostructures. The estimation method of dislocation-free relief germination of templet nanostructures is developed. The influence of templet size on the dislocation density of nanostructures is studied. The dependence of the dislocation height on its radius is determined. The influence of the nanostructures lattice mismatch on conditional relief dislocation of templet semiconductor nanostructures is studied.uk
dc.description.abstractruЦелью данных исследований является нахождение оптимальных параметров для уменьшения прорастающих дислокаций в темплетных наноструктурах. Разработана методика оценивания прорастания условно-бездислокационного рельефа темплетных наноструктур. Исследовано влияние темплетный размеров на плотность дислокаций смещения темплетных наноструктур, установлена зависимость высоты прорастающей дислокации от ее радиуса, а также исследовано влияние рассогласования решетки наноструктуры на условно-бездислокационных рельеф темплетный полупроводниковых нанообразований.uk
dc.description.abstractukМета даних досліджень – знаходження оптимальних параметрів наноутворень для зменшення проростаючих дислокацій в темплетних наноструктурах. У даній роботі досліджено вплив розмірів темплетів на щільність дислокацій зміщення наноструктур, встановлена залежність висоти проростаючої дислокації від її радіусу, а також досліджено вплив розузгодження ґратки наноструктури на умовно-бездислокаційний рельєф темплетних напівпровідникових наноутворень.uk
dc.format.pagerangeС. 32-36uk
dc.identifier.citationМоделювання темплетних наноструктур / Н. М. Ляхова, В. І. Осінський, О. В. Семеновська, Н. О. Суховій, В. І. Тимофєєв, О. М. Фалєєва // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 5(82). – С. 32–36. – Библиогр.: 9 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/10988
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПИ"uk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.source.nameElectronics and Communications: научно-технический журналuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectнаноструктуриuk
dc.subjectтемплетиuk
dc.subjectдислокаціїuk
dc.subjectрозузгодження ґраткиuk
dc.subjectсполуки GaNuk
dc.subjectnanostructuresen
dc.subjecttempleten
dc.subjectdislocationsen
dc.subjectlattice mismatchen
dc.subjectGaN compoundsen
dc.subjectнаноструктурыru
dc.subjectтемплетыru
dc.subjectдислокацииru
dc.subjectрассогласование решеткиru
dc.subjectсоединения GaNru
dc.subject.udc621.315.592.2uk
dc.titleМоделювання темплетних наноструктурuk
dc.title.alternativeModeling of templet nanostructuresuk
dc.title.alternativeМоделирование темплетных наноструктурuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
8.pdf
Розмір:
348.65 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 5(82)