Широкосмугові еталонні випромінювачі для УФ-області на основі карбіду кремнію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГенкін, Олексій Михайлович
dc.contributor.authorГенкіна, Віра Костянтинівна
dc.contributor.authorГераїмчук, Михайло Дем'янович
dc.contributor.authorГермаш, Людмила Павлівна
dc.contributor.authorНеводовський, Петро Вікторович
dc.date.accessioned2020-08-26T10:26:38Z
dc.date.available2020-08-26T10:26:38Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractenIn this paper, we studied the influence of the microplasma structure, operating voltage and temperature on the ultraviolet component of the spectrum distribution of quantum output of SiC-6H and SiC-15R based light emitting diodes, working in the electrical breakdown regime. Moreover, revealed was the well-formed connection of samples parameters with the initial crystallites properties and microplasma structure of the breakdown. The obtained results proved the probability of the range extension of the devices’ stable work in the ultraviolet region to 250nm.uk
dc.description.abstractruИсследовано влияние микроплазменной структуры, рабочего напряжения и температуры на ультрафиолетовую компоненту спектрального распределения квантового выхода светодиодов на основе SiC-6H и SiC-15R, работающих в режиме электрического пробоя. Выявлена закономерная связь характеристик образцов со свойствами исходных кристаллов и микроплазменной структурой пробоя. Полученные результаты свидетельствуют о возможности расширения диапазона стабильной работы приборов в ультрафиолетовую область до 250 нм.uk
dc.description.abstractukДосліджено вплив мікроплазмової структури, робочої напруги, температури на ультрафіолетову компоненту спектрального розподілу квантового виходу світлодіодів на основі SiC-6H і SiC-15R, що працюють у режимі електричного пробою. Виявлено закономірний зв'язок характеристик зразків із властивостями вихідних кристалів та мікроплазмовою структурою пробою. Отримані результати свідчать про можливість розширення діапазону стабільної роботи приладів в ультрафіолетову область до 250 нм.uk
dc.format.pagerangeС. 20-26uk
dc.identifier.citationШирокосмугові еталонні випромінювачі для УФ-області на основі карбіду кремнію / О. М. Генкін, В. К. Генкіна, М. Д. Гераїмчук, Л. П. Гермаш, П. В. Неводовський // Наукові вісті НТУУ «КПІ» : науково-технічний журнал. – 2008. – № 4(60). – С. 20–26. – Бібліогр.: 7 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/35814
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceНаукові вісті НТУУ «КПІ» : науково-технічний журнал, 2008, № 4(60)uk
dc.subject.udc541.451uk
dc.titleШирокосмугові еталонні випромінювачі для УФ-області на основі карбіду кремніюuk
dc.title.alternativeSilicon carbide based broadband etalon emitters for the UV-regionuk
dc.title.alternativeШирокополосные эталонные излучатели для УФ-области на основе карбида кремнияuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2008-4-4.pdf
Розмір:
196.15 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові вісті НТУУ «КПІ»: науково-технічний журнал, № 4(60)