Исследование технологических требований к фотоприемному устройству инфракрасного диапазона на основе структур с квантовыми ямами

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМолодык, А. В.
dc.contributor.authorПономаренко, А. А.
dc.contributor.authorБалтабаев, Н. Н.
dc.contributor.authorМолодик, А. В.
dc.contributor.authorПономаренко, О. А.
dc.contributor.authorБалтабаєв, М. М.
dc.contributor.authorMolodik, A. V.
dc.contributor.authorPonomarenko, A. A.
dc.contributor.authorBaltabaev, N. N.
dc.date.accessioned2015-03-13T15:56:28Z
dc.date.available2015-03-13T15:56:28Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractenFor many years abroad pays special attention to the development of new and promising photodetectors. Specifically, the photodetectors for long-wavelength range is in an active stage of development for over 20 years. It should be noted that the results largely made possible by molecular beam epitaxy (MBE), which allows to create QWS with high uniformity parameters over a large area. Perhaps the main drawback MBE today is its low productivity and, as a consequence, the relatively high cost produced QWS. This was the main focus of the selected areas of research namely the choice of method Metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) for growing QWS. With MOCVD epitaxial films can be grown by several monoatomic layers with high accuracy, providing significantly higher performance than by using MBE. Through research can draw an important conclusion that there is a real opportunity for growing by MOCVD QWS with two active regions, each of which is sensitive to a given spectral range, for example 3-5 and 8-12 microns. Based on these QWS can be made monolithic dual-range photodetector.uk
dc.description.abstractruУже многие годы за рубежом уделяется особое внимание разработке новых и перспективных фотоприемников. В частности, фотоприемники для длинноволнового диапазона находятся в активной стадии разработки уже свыше 20 лет. Стоит отметить, что полученные результаты во многом стали возможны благодаря молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), которая позволяет создавать структуры с квантовыми ямами (СКЯ) с высокой однородностью параметров на большой площади. Пожалуй, основным недостатком МЛЭ на сегодня является ее низкая производительность и, как следствие, относительно высокая стоимость получаемых с ее помощью СКЯ. Это и стало главным акцентом выбранного направления исследований, а именно – выбор метода МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) для выращивания СКЯ. С помощью МОСГЭ можно выращивать эпитаксиальные пленки в несколько моноатомных слоев с высокой точностью, обеспечивая значительно более высокую производительность чем с помощью МЛЭ. На основе проведенных исследований можно сделать важное заключение, что существует вполне реальная возможность для выращивания методом МОСГЭ СКЯ с двумя активными областями, каждая из которых обладает чувствительностью в заданной области спектра, например 3-5 и 8-12 мкм. На основе таких СКЯ могут быть изготовлены монолитные двухспектральные фотоприемники.uk
dc.description.abstractukВже багато років за кордоном приділяють особливу увагу розробці нових та перспективних фотоприймачів. Зокрема, фотоприймачі для довгохвильового діапазону знаходяться в активній стадії розробки вже понад 20 років. Варто відзначити, що отримані результати стали можливими завдяки молекулярно-променевій епітаксії (МПЕ), що дозволяє створювати структури з квантовими ямами (СКЯ) з високою однорідністю параметрів на великій площі. Мабуть, основним недоліком МПЕ на сьогодні є її низька продуктивність та, як наслідок, відносно висока вартість одержуваних з її допомогою СКЯ. Це і стало головним акцентом обраного напрямку досліджень, а саме – вибору методу МОС-гідридної епітаксії (МОСГЕ) для вирощування СКЯ. З допомогою МОСГЕ можна вирощувати епітаксіальні плівки в декілька моноатомних шарів з високою точністю, забезпечуючи значно більш високу продуктивність чим з допомогою МПЕ. На основі проведених досліджень можна зробити важливий висновок, що існує цілком реальна можливість для вирощування методом МОСГЕ СКЯ з двома активними областями, кожна з яких має чутливість в заданій області спектра, наприклад 3-5 та 8-12 мкм. На основі таких СКЯ можуть бути виготовлені монолітні двоспектральні фотоприймачі.uk
dc.format.pagerangeС. 130-138uk
dc.identifier.citationМолодык А. В. Исследование технологических требований к фотоприемному устройству инфракрасного диапазона на основе структур с квантовыми ямами / Молодык А. В., Пономаренко А. А., Балтабаев Н. Н. // Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування : збірник наукових праць. – 2014. – Вип. 48(2). – С. 130–138. – Бібліогр.: 10 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/10889
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameВісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових працьuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectфотоприймачі довгохвильового діапазонуuk
dc.subjectструктури з квантовими ямамиuk
dc.subjectМОС - гідридна епітаксіяuk
dc.subjectlong-wavelength range photodetectorsuk
dc.subjectquantum wall structuresuk
dc.subjectMetalorganic chemical vapour depositionuk
dc.subjectфотоприемники длинноволнового диапазонаuk
dc.subjectструктуры с квантовыми ямамиuk
dc.subjectМОС-гидридная эпитаксияuk
dc.subject.udc532.2uk
dc.titleИсследование технологических требований к фотоприемному устройству инфракрасного диапазона на основе структур с квантовыми ямамиuk
dc.title.alternativeДослідження технологічних вимог до фотоприймального пристрою інфрачервоного діапазону на основі структур з квантовими ямамиuk
dc.title.alternativeReasearch of technological requirements for infrared photodetector based on quantum wall structures (QWS)uk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
r_7_2.pdf
Розмір:
367.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Вісник НТУУ «КПІ». Приладобудування: збірник наукових праць, Вип. 48(2)