Теплові процеси при вирощуванні неактивованих сцинтиляційних кристалів

dc.contributor.advisorДешко В.
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"uk
dc.date.accessioned2013-05-16T09:37:00Z
dc.date.available2013-05-16T09:37:00Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractЗвіт про НДР: 147 сторінок, 49 рисунків, 11 таблиць, 225 джерел. Об’єкт дослідження – направлена кристалізація з розплаву частково прозорих матеріалів. Предмет дослідження – математичні моделі радіаційно-кондуктивного та радіаційно-конвективного теплообміну Мета роботи полягає у дослідженні радіаційно-кондуктивного та радіаційно-конвективного теплообміну у високотемпературних кристалізаційних установках для удосконалення теплових умов вирощування. Метод дослідження – числове моделювання. Розвинуто моделі радіаційно-конвективного теплообміну в кристалізаційних установках з урахуванням селективності оптичних властивостей матеріалів, режимів конвективної течії, алгоритм динамічної перебудови міжфазної границі. Вперше отримано результати впливу радіаційно-конвективного теплообміну на процес кристалізації. Розроблені математичні моделі та методики чисельного розв’язку задач радіаційно-конвективного теплообміну з урахуванням впливу домішок у розплаві на коефіцієнт поглинання та селективності оптичних властивостей напівпрозорих кристалу та розплаву. Дослідженнями з використанням обчислювального експерименту температурних полів, градієнтів температури, конвективних та радіаційних потоків при зміні конфігурації системи кристал-розплав показано домінуючий вплив радіаційного теплопереносу. Проведено ряд числових експериментів за умов, характерних для вирощування лужно-галоїдних кристалів (зокрема, йодиду цезію) методом Кіропулоса, з метою оптимізації умов вирощування кристалів за цим методом та їх співставлення з експериментальними даними, отриманими в Інституті сцинтиляційних матеріалів НАНУ. Результати дослідження факторів впливу на управління тепловими процесами росту дозволяють аналізувати технологічні процеси та надавати рекомендації по конфігурації нагрівальних потужностей у кристалізаційній установці при отриманні сцинтиляційних матеріалів. Модифіковано методики оптичних вимірювань для поглинаючого середовища та визначення переохолодження на фронті кристалізації. Результати НДР планується впровадити в Інституті сцинтиляційних матеріалів НАНУ, Інституті монокристалів НАНУ. Прогнозні припущення щодо розвитку об’єкта дослідження – подальші дослідження впливу умов складного теплообміну на розподіл температури в кристалізаторахх при вирощуванні особливо чистих сцинтиляційних матеріалів, розробка та адаптація програмного забезпечення для розрахунків теплообміну при вирощуванні частково прозорих матеріалів.uk
dc.identifier№ держреєстрації 0110U000257
dc.identifierКВНТД І.2 13.14.06
dc.identifierД/б №2313-ф
dc.identifier.citationТеплові процеси при вирощуванні неактивованих сцинтиляційних кристалів : звіт про НДР(заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Дашко. - К., 2012. - 147 л. + CD-ROM. - Д/б №2313-фuk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/2685
dc.language.isoukuk
dc.rightsЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.uk
dc.subjectматематичне моделюванняuk
dc.subjectграничні умовиuk
dc.subjectчастково прозорий матеріалuk
dc.subjectкристалізаціяuk
dc.subjectрадіаційно-конвективний теплообмінuk
dc.subjectметод скінчених об'ємівuk
dc.subjectметод дискретних ординатuk
dc.subjectпоказник заломленняuk
dc.subjectкоефіцієнт поглинанняuk
dc.subjectдомішкиuk
dc.titleТеплові процеси при вирощуванні неактивованих сцинтиляційних кристалівuk
dc.typeTechnical Reportuk

Файли