Дифузійний ріст включень силіцидної фази Mn4Si7 циліндричної форми в тонкоплівковій системі Mn—Si

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСидоренко, Сергій Іванович
dc.contributor.authorВолошко, Світлана Михайлівна
dc.contributor.authorПавлова, Олена Петрівна
dc.contributor.authorКонорев, Сергій Ігорович
dc.date.accessioned2020-09-10T19:19:32Z
dc.date.available2020-09-10T19:19:32Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractenWe study the process of diffusion formation of Mn4Si7 silicide phase inclusions in films, obtained by deposition of Mn and Si (24% Mn + Si) on a substrate of Si (001) monocrystalline silicon. We utilize the methods of X-ray diffraction analysis, electron microscopy, and mass spectrometry of secondary ions for our experiments. Furthermore, computer simulation within the frame of the model of cylindrical inclusions growth in a supersaturated solid solution allows analyzing concentration allocation of the diffusant, which depends on time, kinetics of inclusions growth, etc.uk
dc.description.abstractruИсследован процесс диффузионного формирования включений силицидной фазы Mn4Si7 в пленках, полученных осаждением Mn и Si (24 % Mn + Si) на подложку монокристаллического кремния Si(001). Экспериментальные исследования проведены с использованием методов рентгенофазового анализа, электронной микроскопии, маспектрометрии вторичных ионов. Компьютерное моделирование в рамках модели роста включений цилиндрической формы в среде пересыщенного твердого раствора позволило проанализировать концентрационное распределение диффузанта в зависимости от времени, кинетику роста включений и т.д.uk
dc.description.abstractukДосліджено процес дифузійного формування включень силіцидної фази Mn4Si7 в плівках, отриманих осадженням Mn і Si (24 % Mn + Si) на підкладинку монокристалічного кремнію Si(001). Експериментальні дослідження проведено із застосуванням методів рентгенофазового аналізу, електронної мікроскопії, мас-спектрометрії вторинних іонів. Комп’ютерне моделювання в рамках моделі росту ансамблю включень циліндричної форми в середовищі пересиченого твердого розчину дало можливість проаналізувати концентраційний розподіл дифузанту залежно від часу, кінетику росту включень тощо.uk
dc.format.pagerangeС. 93-99uk
dc.identifier.citationДифузійний ріст включень силіцидної фази Mn4Si7 циліндричної форми в тонкоплівковій системі Mn—Si / С. І. Сидоренко, С. М. Волошко, О. П. Павлова, С. І. Конорев // Наукові вісті НТУУ «КПІ» : науково-технічний журнал. – 2010. – № 2(70). – С. 93–99. – Бібліогр.: 10 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/36128
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceНаукові вісті НТУУ «КПІ» : науково-технічний журнал, 2010, № 2(70)uk
dc.subject.udc517.946.9uk
dc.titleДифузійний ріст включень силіцидної фази Mn4Si7 циліндричної форми в тонкоплівковій системі Mn—Siuk
dc.title.alternativeDiffusion Growth of Mn4Si7 Silicide Phase Inclusions of Cylindrical Shape in Mn–Si Thin-Film Systemuk
dc.title.alternativeДиффузионный рост включений силицидной фазы Mn4Si7 цилиндрической формы в тонкопленочной системе Mn–Siuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2010-2-14.pdf
Розмір:
538.06 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Наукові вісті НТУУ «КПІ»: науково-технічний журнал, № 2(70)