О повышении добротности планарных диэлектрических резонаторов с модами шепчущей галереи
dc.contributor.author | Когут, Александр Евгеньевич | |
dc.contributor.author | Когут, Евгений Александрович | |
dc.contributor.author | Доля, Роман Сергеевич | |
dc.contributor.author | Носатюк, Сергей Олегович | |
dc.contributor.author | Харьковский, Сергей Николаевич | |
dc.contributor.author | Джаочан Хе | |
dc.date.accessioned | 2019-10-04T10:28:23Z | |
dc.date.available | 2019-10-04T10:28:23Z | |
dc.date.issued | 2018 | |
dc.description | Полный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S0021347018110031 | ru |
dc.description.abstractru | Исследован новый класс дисковых диэлектрических резонаторов (ДР) миллиметрового диапазона длин волн с модами шепчущей галереи (ШГ) — планарных ДР, высота которых значительно меньше рабочей длины волны. Из литературных источников известно, что в открытом состоянии такие резонаторы на модах ШГ не возбуждаются по причине высоких радиационных потерь. Показано, что решением данной задачи является частичное экранирование дисковых диэлектрических структур плоскопараллельным экраном путем расположения диска между двумя плоскими проводящими зеркалами. Установлено, что путем введения воздушного зазора между плоским основанием диэлектрического диска и одним из проводящих зеркал удается повысить собственную добротность планарных ДР почти в два раза. Одной из причин этого является частичное смещение резонансного поля мод ШГ из области диэлектрика в воздушный зазор, где диэлектрические потери снижаются. Кроме того, увеличение воздушного зазора в интервале оптимальных значений, сравнимых с половиной рабочей длины волны, приводит к снижению омических потерь. Вышеперечисленное обусловливает рост добротности планарных ДР с воздушным зазором. | ru |
dc.format.pagerange | С. 656-664 | ru |
dc.identifier.citation | О повышении добротности планарных диэлектрических резонаторов с модами шепчущей галереи / А. Е. Когут, Е. А. Когут, Р. С. Доля, С. О. Носатюк, С. Н. Харьковский, Джаочан Хе // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, 11 (677). – C. 656–664. – Библиогр.: 15 назв. | ru |
dc.identifier.doi | https://doi.org/10.20535/S0021347018110031 | |
dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/29632 | |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | КПИ им. Игоря Сикорского | ru |
dc.publisher.place | Киев | ru |
dc.source | Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2018, Т. 61, № 11 (677) | ru |
dc.subject | планарный диэлектрический резонатор | ru |
dc.subject | колебания шепчущей галереи | ru |
dc.subject | электромагнитные характеристики | ru |
dc.subject | повышение добротности | ru |
dc.subject.udc | 621.372.8; 621.317 | ru |
dc.title | О повышении добротности планарных диэлектрических резонаторов с модами шепчущей галереи | ru |
dc.type | Article | ru |
Файли
Контейнер файлів
1 - 1 з 1
Вантажиться...
- Назва:
- 2018-11-656.pdf
- Розмір:
- 70.86 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
- Опис:
- Первая страница, библиогр.
Ліцензійна угода
1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 8.98 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: