Радиационно-термическая обработка мощных биполярных транзисторов с антиумножительным слоем

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБорисов, А. В.
dc.contributor.authorГусев, В. А.
dc.contributor.authorМурзин, Д. Г.
dc.date.accessioned2013-07-16T08:32:07Z
dc.date.available2013-07-16T08:32:07Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractenTne influence of alpha-particles irradiation on parameters of power bipolar transistors with voltage dividing layer in bulk collector region was investigated.It was shown the switch off time of collector current was decreased in two times in result of such treatments.uk
dc.description.abstractruПроведен анализ и экспериментальные исследования особенностей взаимодействия альфа-частиц с полупроводником для повышения быстродействия транзисторных структур. Результаты экспериментальных исследований показали,что введение в технологический процесс производства мощных биполярных транзисторов радиационно-термической обработки пластин альфа-частицами позволило обеспечить двукратный запас по быстродействию.uk
dc.format.pagerangeС. 5-9uk
dc.identifier.citationБорисов А. В. Радиационно-термическая обработка мощных биполярных транзисторов с антиумножительным слоем / А. В. Борисов, В. А. Гусев, Д. Г. Мурзин // Электроника и связь: научно-технический журнал. - 2012. - № 5(70). - С. 5–9. – Библиогр.: 3 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/3216
dc.language.isoruuk
dc.source.nameЭлектроника и связь: научно-технический журналuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectрадиационно-термическая обработкаuk
dc.subjectмощный биполярный транзисторuk
dc.subjectвремя выключенияuk
dc.subject.udc621.382.3uk
dc.titleРадиационно-термическая обработка мощных биполярных транзисторов с антиумножительным слоемuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
1.pdf
Розмір:
271.51 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Электроника и связь: научно-технический журнал, № 5(70)