Дослідження динамічних властивостей новітніх напівпровідникових наноматеріалів і нанокомпонентів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТимофєєв, В.
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"uk
dc.date.accessioned2015-09-24T09:56:40Z
dc.date.available2015-09-24T09:56:40Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractМетою роботи є дослідження наноматеріалів і прогнозування можливостей їх використання для створення надшвидкодійних і надвисокочастотних компонентів мікро- і наноелектроніки. Предметом роботи є дослідження фізичних процесів та фізико-топологічне моделювання характеристик наноструктурних матеріалів і електронних приладів. Досліджено динамічні властивості напівпровідникових сполук як реакцію дрейфових процесів на імпульсне електричне поле для сполук InN, GaN та AlN з кубічною та гексагональною структурою. Визначено довжини балістичного пробігу за різних амплітуд та тривалостях переднього фронту імпульсу. Встановлено, що гранична частота, яка визначається інерційністю процесів розсіювання імпульсу та міждолинних переходів, але здебільшого часом релаксації енергії, має значення порядку сотень і навіть тисяч гігагерців, зменшуючись із зростанням напруженості електричного поля. Розроблена методика і алгоритм врахування впливу квантових точок (КТ) на подовжній транспорт носіїв заряду в гетеротранзисторі. Показано, що вбудовування системи КТ в гетероперехід призводить до зростання швидкодії гетеротранзистора. Розроблено і верифіковано моделі сучасних резонансно-тунельних діодів, включаючи їх динамічні характеристики. Розроблено модель одноелектронного транзистора, побудованого на молекулі фенілдитіолу, яка дозволяє досліджувати фізичні процеси і режими функціонування транзистора за умов кулонівської блокади та самоузгодженого електричного поля. Розроблено методику і проведено розрахунки нових конструкцій світлодіодів на гетероструктурах. Розроблено математичну модель квантового каскадного лазера та досліджено надграткову структуру напівпровідникового лазера з довжиною хвилі 5 мкм. Запропоновані у роботі математичні моделі, алгоритми і програми направлені на створення сучасних нанокомпонентів і розвиток нанотехнологій.
dc.format.page185 л.uk
dc.identifierКВНТД 1.2 12.11.13
dc.identifierД/б №2630-п
dc.identifier.citationДослідження динамічних властивостей новітніх напівпровідникових наноматеріалів і нанокомпонентів : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. В. Тимофєєв. - К., 2014. - 185 л. + CD-ROM. - Д/б №2630-пuk
dc.identifier.govdoc0113U000389
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/12585
dc.language.isoukuk
dc.publisherНаціональний технічний університет України "Київський політехнічний інститут"uk
dc.rightsЗвіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectтринітридиuk
dc.subjectнітрид галіюuk
dc.subjectнітрид алюмініюuk
dc.subjectнітрид індіюuk
dc.subjectмеханізми розсіюванняuk
dc.subjectчаси релаксаціїuk
dc.subjectсильне електричне полеuk
dc.subjectбалістичний транспортuk
dc.subjectнанбіосенсорuk
dc.subjectбагашарові гетероструктуриuk
dc.subjectквантові ямиuk
dc.subjectквантові точкиuk
dc.subjectквантовий каскадний лазерuk
dc.subjectтемплетні наноструктуриuk
dc.subjectдинамічні характеристики резонансно-тунельних діодівuk
dc.subject.udc621:382.uk
dc.titleДослідження динамічних властивостей новітніх напівпровідникових наноматеріалів і нанокомпонентівuk
dc.typeTechnical Reportuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Зібрання

Звіти про науково-дослідні роботи (доступ у чит. залі № 6.6 НТБ)