Моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛяхова, Н. О.
dc.date.accessioned2023-10-06T08:20:32Z
dc.date.available2023-10-06T08:20:32Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractРозглянуто спрощену модель процесу зародження дефектів для оптимізації темплетних шарів нанооструктур з тривимірним обмеженням. При використанні оптимізованих темплетних шарів пористого анодного оксиду алюмінію, сформованого на Si (100) підкладці, вирощено методом хлоридгидридної газофазної епітаксії шар нітриду галію, який виявився неполярним з (11 2 0) α-орієнтацією і малою анізотропією. Спектри мікро катодолюмінісценції вирощених плівок підтверджують низьку щільність дефектів упаковки.uk
dc.description.abstractotherStudy of defect nucleation in three dimensional confined nanoislands of templated nanostructures is reported. Contrasting to the case for thin epitaxial films, it is found that for nanostructures, below a certain critical lateral dimension, dislocation free structures of any thickness can be grown. GaN growth by the hydride vapor phase technique on (100) Si substrates masked by porous Al anodic oxide has been used. The grown GaN layer was non polar with (11 2 0) α-orientation and showed small anisotropy.uk
dc.identifier.citationЛяхова, Н. О. Моделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридів / Ляхова Н. О. // Электроника и связь : научно-технический журнал. Тематический выпуск «Электроника и нанотехнологии». – 2011. – №3(62). – С. 39-43. – Бібліогр.: 24 назви.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264219
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/61003
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.relation.ispartofЭлектроника и связь: научно-технический журнал, № 3(62)uk
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.subjectдислокаціїuk
dc.subjectнаноструктуриuk
dc.subjectGaNuk
dc.subjectселективна епітаксіяuk
dc.subjectIII – нітридиuk
dc.subjectdislocationuk
dc.subjectnanostructuresuk
dc.subjectselective epitaxyuk
dc.subjectIII – nitridesuk
dc.subject.udc621.315.592.2uk
dc.titleМоделювання впливу темплетних розмірів на дислокаційність наноструктур при селективній епітаксії ІІІ-нітридівuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
264219-621378-1-10-20221219.pdf
Розмір:
323.43 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Электроника и связь: научно-технический журнал, № 3(62)