Технологические особенности изготовления СВЧ прибора с барьерами Шоттки

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДмитриев, Вадим Сергеевич
dc.contributor.authorДмитриева, Любовь Борисовна
dc.contributor.authorШвец, Евгений Яковлевич
dc.date.accessioned2018-06-18T10:40:49Z
dc.date.available2018-06-18T10:40:49Z
dc.date.issued2018
dc.descriptionПолный текст доступен на сайте издания по подписке: http://radio.kpi.ua/article/view/S002134701802005Xuk
dc.description.abstractruВ настоящее время исследования и разработка гетеропереходов ведутся в направлениях поиска новых композиций и технологических режимов создания омических и барьерных переходов к арсениду галлия. Переход к металлизации на основе серебра, имеющего большие по сравнению с золотом тепло- и электропроводность и относительно небольшой коэффициент диффузии в арсенид галлия, должен повысить технические характеристики изделий. Одной из важнейших технологических операций при формировании омических контактов и барьеров Шоттки является термический отжиг. Контакты на основе серебра к арсениду галлия изготовлены в вакууме методом термического испарения. Разработаны режимы нанесения и термической обработки при создании омических контактов Ag–Ge–In/n–n⁺GaAs с удельным контактным сопротивлением ρк=(5…7)∙10⁻⁵ Ом∙см². Установлено влияние температуры подложки при напылении серебра, температуры отжига на высоту барьера Шоттки Ag/n–n⁺GaAs, коэффициент инжекции γ и фактор неидеальности η.uk
dc.format.pagerangeС. 108-116uk
dc.identifier.citationДмитриев, В. С. Технологические особенности изготовления СВЧ прибора с барьерами Шоттки / В. С. Дмитриев, Л. Б. Дмитриева, Е. Я. Швец // Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника. – 2018. – Т. 61, № 2 (668). – C. 108–116. – Библиогр.: 28 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/S002134701802005X
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/23478
dc.language.isoruuk
dc.publisherКПИ им. Игоря Сикорскогоuk
dc.publisher.placeКиевuk
dc.sourceИзвестия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, 2018, Т. 61, № 2 (668)uk
dc.source.urihttp://radio.kpi.ua/issue/view/2018-02ru
dc.subjectбарьер Шотткиuk
dc.subjectСВЧ приборuk
dc.subjectарсенид галлияuk
dc.subjectэпитаксиальная пленкаuk
dc.subjectтравлениеuk
dc.subjectрежим термообработкиuk
dc.subjectконтактuk
dc.subject.udc621.382.2/3uk
dc.titleТехнологические особенности изготовления СВЧ прибора с барьерами Шотткиuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2018-02-108.pdf
Розмір:
77.69 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Первая страница, библиогр.
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Известия высших учебных заведений. Радиоэлектроника, Т. 61, № 2 (668)