Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних p-i-n фотодіодів на основі високоомного р-Si
Вантажиться...
Дата
2023
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Зважаючи на потребу ринку в високочутливих кремнієвих p-i-n фотодіодах (ФД) для детектування випромінювання YAG-лазера (довжина хвилі 1,064 мкм), вирішено дослідити методи збільшення їх чутливості, зокрема зміщення максимуму спектральної характеристики чутливості фотоприймача в сторону більших довжин хвиль, а також проаналізувати вплив різних технологічних факторів на її вигляд. Встановлено, що при збільшенні напруги зворотного зміщення зміщується максимум спектральної характеристики в сторону більших довжин хвиль. Також побачено, що при збільшенні часу життя неосновних носіїв заряду та питмого опору кремнію при однаковій напрузі зміщення максимум спектральної характерстики зміщується в сторону більших довжин хвиль.
Досягнуто значення максимуму спектральної характеристики 1,01-1,02 мкм. При використанні мезатехнології, яка мінімізує деградацію питомого опору матеріалу, подальше зміщення максимуму не відбувається. Також встановлено, що зміна глибини залягання дифузійних шарів ФД може негативно впливати на рівень шумів.
Опис
Ключові слова
кремній, фотодіод, чутливість, спектральна характеристика, питомий опір, silicon, photodiode, responsivity, spectral characteristic, resistivity
Бібліографічний опис
Кукурудзяк, М.С. Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних p-i-n фотодіодів на основі високоомного р-Si / Кукурудзяк М.С. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2023. – Т. 28, № 1(123). – С. 275010.1-275010.6. – Бібліогр.: 14 назв.