Дослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структур

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorТимофєєв, В. І.uk
dc.contributor.advisorTimofeev, V.en
dc.contributor.advisorТимофеев, В. И.ru
dc.contributor.departmentКафедра фізичної та біомедичної електронікиuk
dc.contributor.facultyФакультет електронікиuk
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»uk
dc.date.accessioned2018-04-02T09:32:15Z
dc.date.available2018-04-02T09:32:15Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractenEstimations for the dynamical properties of tree-nitrides compounds (InN, GaN, AlN) were obtained, using semi-analytical expressions for momentum and energy mean free times in strong fields. Field-temperature dependences, occupation of the valleys, velocity-field charactistics in strong fields with different modifications of crystal lattice (cubic and hexagonal) were calculated. These results were compared with existent experimental data, calculated by other authors. Simulation programs, calculating electrophysicals and schematic parameters of the modulation doped heterotransistors with quantum dots, built into the channelwith 2D electron gas were developed. It was shown that such transistors shows enhanced 2D electrons concentration and mobility due to electrons, injecting from heterojunction as well as electrons from quantum dots. Model of field effect transistor with nanotubes were developed as well. Simulation programs for resonant-tunneling diode (RTD) were developed. They based on self-consistent Shcrodinger-Poisson equations for envelope function and allow modeling RTD with nano-sized layers of semiconductor compounds, formed RTD. Theoretical results of investigation were adopted into educational process in special courses “Physics of electrons processes”, “Nanoelectronics fundamentals”, “Ultra-high-speed electron devices”. Two Ph.D. theses were prepared and passed to specialized Academic Senate. Technical solution were developed and passed to such enterprises as “Saturn”, “Orion”, “Mirrad” (all are Kiev enterprises).uk
dc.description.abstractruИспользуя аналитические выражения для времен релаксации импульса и энергии при разных механизмах рассеяния, сделаны оценки динамических свойств тринитридных соединений (InN, GaN, AlN) в сильных электрических полях. Рассчитаны поле-температурные зависимости, функции заселенности долин и поле-скоростные характеристики в сильном поле для нитридов с разными модификациями кристаллической решетки (кубической и гексагональной). Результаты расчетов сопоставлены с имеющимися экспериментальными данными и расчетами других авторов. Разработаны программы моделирования электрофизических и схемных параметров модулировано легированных гетеротранзисторов с квантовыми точками, встроенными в канал с двумерным электронным газом. Показано, что такие транзисторы имеют более высокие концентрации двумерных электронов и их подвижность, что обусловлено как электронами гетероперехода, так и электронами, инжектированными из квантовых точек. Разработана модель полевого транзистора на основе углеродных нанотрубок. Созданы программы моделирования двухбарьерного резонансно-туннельного диода с высоколегированными нанометровыми слоями полупроводниковых соединений, основанные на согласованном решении уравнений Шредингера и Пуассона для огибающей волновой функции.uk
dc.description.abstractukВикористовуючи аналітичні вирази для часів релаксації імпульсу і енергії при різних механізмах розсіяння, зроблені оцінки динамічних властивостей тринітридних сполук (InN, GaN, AlN) у сильних електричних полях. Розраховані поле-температурні залежності, функції заселеності долин і поле- швидкісні характеристики в сильному полі для нітридів з різними модифікаціями кристалічної решітки (кубічної та гексагональної). Результати розрахунків співставлені з наявними експериментальними даними і розрахунками інших авторів. Розроблено програми моделювання електрофізичних та схемних параметрів модульовано легованих гетеротранзисторів з квантовими точками, вбудованими в канал з двовимірним електронним газом. Показано, що такі транзистори мають вищі концентрації двовимірних електронів та їх рухливість, що обумовлено як електронами гетеропереходу, так і електронами, інжектованими з квантових точок. Розроблено модель польового транзистора на основі вуглецевих нанотрубок. Створено програми моделювання двобар’єрного резонансно- тунельного діоду з високолегованими нанометровими шарами напівпровідникових сполук, засновані на узгодженому розв’язку рівнянь Шредінгера та Пуассона для огинаючої хвильової функції.uk
dc.format.page5 с.uk
dc.identifier.govdoc0109U000658
dc.identifier.other2244
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/22627
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectавтоматизоване моделюванняuk
dc.subjectтранзисториuk
dc.titleДослідження новітніх напівпровідникових наноприладів і нанокомпонентів інтегральних схем на основі квантових одно- і двовимірних структурuk
dc.title.alternativeInvestigation of modern semiconductor nanodevices and nanocomponents of integral circuits, based on 1D and 2D structuresuk
dc.title.alternativeИсследование новейших полупроводниковых наноприборов и нанокомпонентов интегральных схем на основе квантовых одно- и двумерных структурuk
dc.typeTechnical Reportuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
2244.pdf
Розмір:
113.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Анотовані описи звітів про НДР (ЕІ)
Анотовані описи завершених науково-дослідних робіт КПІ ім. Ігоря Сікорського