Методи і засоби контролю та підвищення надійності запам‘ятовуючих пристроїв в системах критичного застосування

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorАндрієнко, Володимир Олександрович
dc.contributor.degreedepartment-uk
dc.contributor.degreefaculty-uk
dc.contributor.degreegrantorЧеркаський державний технологічний університетuk
dc.date.accessioned2016-05-26T11:04:03Z
dc.date.available2016-05-26T11:04:03Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractenThe dissertation is devoted to the solution of a scientific problem of increasing the reliability of operation of memory devices in the systems of critical use. Based on the developed method of combined software and hardware diagnostics. The study also identified the factors of influence on the functionality, lifespan, and noise immunity of the semiconductor memory. This allowed to identify the negative impact that implements the joint influence of external parameters (temperature, electrostatic fields, vibrations etc.). In the dissertation obtained depending on the influence of external factors on the functionality of semiconductor memory devices in the systems of critical use. This allows to determine the optimal modes of its operation. It is an established fact growth time of reliable operation at 100% leads to an increase in term limit operation 1.5-2.5 times. A linear increase of the surface density of microdefects decreases the life time limit up to 25%. The results obtained in the dissertation can be used by experts for production and maintenance of elements of precision engineering products, functional electronics, the enterprises of the microelectronics, aerospace, atomic energy, medicine. 41 research work reaffirms its scientific significance. These works contain the results of research work storage devices in stationary and critical use.uk
dc.description.abstractruДиссертация посвящена решению научной задачи повышения надежности эксплуатации полупроводниковых запоминающих устройств (ЗУ) в системах критического применения на основе разработанного метода комбинированного программно-аппаратного диагностирования. Определены факторы, влияющие на функциональность, срок эксплуатации и помехоустойчивость полупроводниковых ЗУ, что позволило установить негативное влияние совместного воздействия различных внешних факторов (температуры, электростатических полей, вибраций и тому подобное). В работе установлено, что для отслеживания критических изменений в работе запоминающих устройств, как правило, на практике используется программное тестирование. При этом выбор тестов и применения последовательности для выполнения эффективного контроля полупроводниковых запоминающих устройств является сложной научно-технической задачей. Поэтому разработка универсального набора тестов для диагностирования реальных микросхем в процессе их эксплуатации, а также методов повышения надежности сравнительных оценок тестов микросхем является актуальной научно-технической задачей, решение которой откроет возможность применять оптимальные режимы эксплуатации, уменьшать вероятность возникновения отказов и сбоев этих микросхем, что повысит их надежность и время безотказной работы. Разработан диагностический стенд для комплексного тестирования полупроводниковых запоминающих устройств. Предложен комбинированный метод автоматической генерации тестов для верификации моделей микросхем памяти. Описанная модель микросхемы памяти со встроенными средствами самотестирования, сжатия диагностической информации и пр. Предложены модели микросхем полупроводниковой памяти со встроенными средствами многоверсионного самотестирования, защитой от перегрева и восстановления ее работоспособности. Разработана модель полупроводникового запоминающего устройства с функцией восстановления работоспособности при многократных отказах. Создан метод выбора парето-оптимальных тестов при отсутствующих весовых коэффициентах, оценивающих важность выбранных критериев качества тестов. Проведены экспериментальные исследования функциональности и срока эксплуатации разнообразных запоминающих устройств, показаны причины снижения их технико-эксплуатационных характеристик, вследствие чего 23 предложены меры повышения надежности и помехоустойчивости таких запоминающих устройств в системах критического применения. Получены зависимости влияния внешних факторов на функциональность полупроводниковых запоминающих устройств в системах критического применения, что позволяет определить оптимальные режимы их эксплуатации. Такие зависимости показывают, что при увеличении времени надежной эксплуатации на 100%, предельный срок эксплуатации возрастает в 1,5-2,5 раза, тогда как даже незначительное увеличение поверхностной плотности микродефектов уменьшает этот срок до 25%. Защищается 41 научный труд, содержащий результаты научных исследований работы полупроводниковых запоминающих устройств в стационарных и критических условиях эксплуатации.uk
dc.description.abstractukДисертація присвячена вирішенню наукової задачі засобів контролю та підвищення надійності експлуатації запам‘ятовуючих пристроїв в системах критичного застосування на основі розробленого методу комбінованого програмно-апаратного діагностування. Визначені фактори, що впливають на функціональність, термін експлуатації та завадостійкість напівпровідникових ЗП. Встановлено негативний вплив, що здійснює сумісний вплив зовнішніх факторів (температури, електростатичних полів, вібрацій тощо). Отримані залежності впливу зовнішніх факторів на функціональність напівпровідникових запам‗ятовуючих пристроїв в системах критичного застосування дозволяють визначити оптимальні режими їх експлуатації. Зростання часу, протягом якого елемент пам‘яті надійно експлуатується призводить до нелінійного зростання терміну експлуатації. Так, при зростанні часу надійної експлуатації на 100%, термін граничної експлуатації зростає у 1,5-2,5 рази, а лінійне зростання поверхневої щільності мікродефектів зменшує граничний термін експлуатації до 25%. Отримані в дисертаційній роботі результати можуть бути використані фахівцями та підприємствами, які займаються розробкою, виготовленням та експлуатацією елементів виробів точного приладобудування, функціональної електроніки, зокрема на підприємствах мікроелектроніки, авіакосмічної техніки, атомної енергетики, медицини. Захищаються 41 наукова праця, що містять результати наукових досліджень роботи запам‘ятовуючих пристроїв в стаціонарних та критичних умовах експлуатації.uk
dc.format.page26 с.uk
dc.identifier.citationАндрієнко В.О. Методи і засоби контролю та підвищення надійності запам‘ятовуючих пристроїв в системах критичного застосування : автореф. дис. ... канд. техн. наук. : 05.11.13 – прилади та засоби контролю і складу речовини / Володимир Олександрович Андрієнко. - Київ, 2015. - 26 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/16045
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeЧеркасиuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectточністьuk
dc.subjectнадійністьuk
dc.subjectконтрольuk
dc.subjectнапівпровідникові запам‘ятовуючі пристроїuk
dc.subjectточностьru
dc.subjectнадежностьru
dc.subjectконтрольru
dc.subjectполупроводниковые запоминающие устройстваru
dc.subjectthe accuracyen
dc.subjectthe reliabilityen
dc.subjectmonitoringen
dc.subjectsemiconductor storage deviceen
dc.titleМетоди і засоби контролю та підвищення надійності запам‘ятовуючих пристроїв в системах критичного застосуванняuk
dc.typeThesisuk
thesis.degree.levelcandidateuk
thesis.degree.nameкандидат технічних наукuk
thesis.degree.speciality05.11.13 – прилади і методи контролю та визначення складу речовинuk

Файли

Зібрання

Автореферати (доступ у чит. залі № 6.6 НТБ)