Дослідження, моделювання та розробка запам’ятовуючих елементів і пристроїв з руйнівним та неруйнівним зчитуванням на нанорозмірних сегнетоелектричних плівках

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorМартинюк, Яків Васильович
dc.contributor.advisorMartyniuk, Iakov
dc.contributor.advisorМартинюк, Яков Васильевич
dc.contributor.degreedepartmentКафедра обчислювальної технікиuk
dc.contributor.degreefacultyФакультет інформатики та обчислювальної технікиuk
dc.contributor.researchgrantorНаціональний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»uk
dc.date.accessioned2017-07-21T13:04:32Z
dc.date.available2017-07-21T13:04:32Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractenThe new technology of deposition of nanoscale (20-50 nm) ferroelectric films (NFF) for the non-volatile memory elements (ME), including the method of RF magnetron sputtering with closed drift of high-energy secondary electrons. Processed using the method and means of RF sputtering plazma monolithic ceramic targets based compounds zirconium, titanium, lead in the direction of reducing the thickness of the film, the technology of ultrasound treatment NFF, which provides an increase in the polarization reorientation and reduction of stress reversal. A new computer model of ME on the NFF, which implements a step-by-step integration of transients as a superposition of a large number of switching processes of the ferroelectric dipoles and calculates the total result of the current, voltage and charge polarization under the influence of ME pulse recording, reading and interference. The values of the ME parameters necessary for the design of memory devices and integrated circuits in SPICE. Made to scale-model ME on NFF with improved options and performance: voltage - 3V, cycle read / write - 40/50 ns, the number of write / read - 10¹²/10¹⁵. A technology and models of memory elements tested at Research Institute for Microenterprises and the Institute for Nuclear Research of NASU towards design and engineering standards to the world, aimed at solving the problem of creating a universal electronic memory of computer systems, as well as samples of memory chips for general and special-purpose the domestic industry.uk
dc.description.abstractruРазработана новая технология осаждения наноразмерных (20-50 нм) сегнетоэлектрических пленок (НСП) для энергонезависимых запоминающих элементов (ЗЭ), в том числе метод ВЧ магнетронного распыления с замкнутым дрейфом высокоэнергетических вторичных электронов. Обработаны метод и средства ВЧ плазмового распыления монолитных керамических мишеней на базе соединений оксидов циркония, титана, свинца в направлении уменьшения толщины пленки; разработана технология ультразвуковой обработки НСП, которая обеспечивает увеличение реориентационной поляризации и уменьшение напряжения переполяризации. Разработана новая компьютерная модель ЗЭ на НСП, которая реализовывает пошаговое интегрирование переходных процессов как суперпозицию процессов переключения большого числа диполей сегнетоэлектрика и вычисляет суммарный результат тока, напряжения и заряда поляризации ЗЭ под действием импульсов записи, считывания и помех. Получены значения параметров ЗЭ необходимых для проектирования запоминающих устройств и интегральных микросхем в SPICE. Изготовлен макетный образец ЗЭ на НСП с улучшенными параметрами и эксплуатационными характеристиками: напряжение – 3В, длительность цикла считывания/записи – 40/50 нс, количество циклов записи/считывания – 10¹²/10¹⁵. Разработанные технология и модели элементов памяти апробированы на предприятиях ДП НИИ Микроприборов и Институт Ядерных Исследований НАНУ в направлении достижения проектно-конструкторских норм на уровне мировых, направлены на решение актуальной проблемы создания универсальной электронной памяти вычислительных систем, а также образцов микросхем памяти общего и специального назначения для отечественной промышленности.uk
dc.description.abstractukРозроблено нову технологію осадження нанорозмірних (20-50 нм) сегнетоелектричних плівок (НСП) для енергонезалежних запам’ятовуючих елементів (ЗЕ), в тому числі, метод ВЧ магнетронного розпилення із замкнутим дрейфом високоенергетичних вторинних електронів. Опрацьовано метод та засоби ВЧ плазмового розпилення монолітних керамічних мішеней на основі сполук з оксидів цирконію, титану, свинцю в напрямку зменшення товщини плівки; розроблено технологію ультразвукової обробки НСП, яка забезпечує збільшення реорієнтаційної поляризації та зменшення напруги переполяризації. Розроблено нову комп’ютерну модель ЗЕ на НСП, що реалізує покрокове інтегрування перехідних процесів як суперпозицію процесів перемикання великого числа диполів сегнетоелектрика і розраховує сумарний результат струму, напруги та заряду поляризації ЗЕ під дією імпульсів запису, зчитування та перешкод. Отримано значення параметрів ЗЕ необхідних для проектування запам’ятовуючих пристроїв та інтегральних мікросхем в SPICE. Виготовлено макетний зразок ЗЕ на НСП з покращеними параметрами та експлуатаційними характеристиками: напруга – 3 В, тривалість циклу зчитування/запису – 40/50 нс, кількість циклів запису/зчитування – 10¹²/10¹⁵. Розроблені технологія і моделі елементів пам’яті апробовані на підприємствах ДП НДІ Мікроприладів та Інститут Ядерних досліджень НАНУ в напрямку досягнення проектно-конструкторських норм на рівні світових, направлені на вирішення актуальної проблеми створення універсальної електронної пам’яті обчислювальних систем, а також зразків мікросхем пам’яті загального та спеціального призначення для вітчизняної промисловості.uk
dc.format.page5 с.uk
dc.identifier2413-п
dc.identifier.govdoc0111U001319
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/20108
dc.language.isoukuk
dc.publisherНТУУ «КПІ»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectкомп'ютерна модельuk
dc.subjectНСПuk
dc.titleДослідження, моделювання та розробка запам’ятовуючих елементів і пристроїв з руйнівним та неруйнівним зчитуванням на нанорозмірних сегнетоелектричних плівкахuk
dc.title.alternativeThe study, simulation and development of storage elements and devices with destructive and non-destructive readout on nanoscale ferroelectric filmsuk
dc.title.alternativeИсследование, моделирование и разработка запоминающих элементов и устройств с разрушающим и неразрушающим считыванием на наноразмерных сегнетоэлектрических пленкахuk
dc.typeTechnical Reportuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
2413-п.doc
Розмір:
330.5 KB
Формат:
Microsoft Word
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Анотовані описи звітів про НДР (ОТ)
Анотовані описи завершених науково-дослідних робіт КПІ ім. Ігоря Сікорського