Построение температурной модели p-n перехода

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБобков, Ю. В.
dc.contributor.authorБобков, А. Ю.
dc.contributor.authorБобков, Ю. В.
dc.contributor.authorБобков, О. Ю.
dc.contributor.authorBobkov, Y. V.
dc.contributor.authorBobkov, А. Y.
dc.date.accessioned2013-09-19T12:25:58Z
dc.date.available2013-09-19T12:25:58Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractenThe work considers the use of semiconductor devices for temperature measurement and analyzes ways to improve the accuracy of temperature measurement by semiconductor sensors. The temperature model of p-n junction, reflecting the dependence of the voltage drop on p-n junction from the value current through it and the temperature, has been built based on analysis of current-voltage characteristic. Analysis of connection p-n junction temperature with the ambient temperature allows us to offer the most optimal pulse mode of measurement with a simultaneous decrease in current through a semiconductor device. There are obtained expressions for the determination of characterizing p-n junction constants and the equation for the finding temperature. The proposed algorithm for finding the ambient temperature allows reducing the time and the number of calculations in comparison with usual methods. Experimental tests have confirmed the correctness of the proposed model for the dependence temperature of the voltage on the p-n junction and the possibility to obtain an absolute measurement error of no more than 0.1 ºС.uk
dc.description.abstractruРассмотрены вопросы использования полупроводниковых приборов для измерения температуры и проанализированы пути повышения точности измерения температуры полупроводниковыми датчиками. На основе анализа вольт-амперной характеристики была построена температурная модель p-n перехода, отражающая зависимость падения напряжения на p-n переходе от значения тока через него и температуры. Проведенный анализ связи температуры p-n перехода с температурой окружающей среды позволил предложить наиболее оптимальный импульсный режим проведения измерений с одновременным уменьшением тока через полупроводниковый прибор. Получены выражения для определения характеризующих p-n переход постоянных величин и уравнение для нахождения искомой температуры. Предложенный алгоритм для нахождения температуры окружающей среды позволяет сократить время и количество вычислений по сравнению с обычными методами. Проведенные экспериментальные исследования подтвердили правильность предложенной модели для температурной зависимости напряжения на p-n переходе и возможность получения абсолютной погрешности измерения не более 0.1 ºС.uk
dc.description.abstractukРозглянуті питання використання напівпровідникових приладів для вимірювання температури та проаналізовані шляхи підвищення точності вимірювання температури напівпровідниковими датчиками. На основі аналізу вольт-амперної характеристики була побудована температурна модель p-n переходу, що відображає залежність падіння напруги на p-n переході від значення струму через нього та температурі. Проведений аналіз зв’язку температури p-n переходу з температурою навколишнього середовища дозволив запропонувати найбільш оптимальний імпульсний режим проведення вимірювань з одночасним зменшенням струму через напівпровідниковий прилад. Отримані вирази для визначення сталих величин, що характеризують p-n перехід, і рівняння для знаходження температури. Запропонований алгоритм для находження температури навколишнього середовища дозволяє скоротити час і кількість обчислень в порівнянні з звичайними методами. Проведенні експериментальні дослідження підтвердили правильність запропонованої моделі для температурної залежності напруги на p-n переході та можливість отримання абсолютної похибки вимірювання не більше 0.1 ºС.uk
dc.format.pagerangeС. 75-84uk
dc.identifier.citationБобков Ю. В. Построение температурной модели p-n перехода / Ю. В. Бобков, А. Ю. Бобков // Механіка гіроскопічних систем : науково-технічний збірник. – 2011. – Вип. 24. – С. 75–84. – Бібліогр.: 14 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/3749
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceМеханіка гіроскопічних систем: науково-технічний збірникuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectтемператураru
dc.subjectполупроводниковый приборru
dc.subjectp-n переходru
dc.subjectвольт-амперная характеристикаru
dc.subjectпогрешностьru
dc.subjectнапівпровідниковий приладuk
dc.subjectp-n перехідuk
dc.subjectвольт-амперна характеристикаuk
dc.subjectпохибкаuk
dc.subjecttemperatureen
dc.subjectsemiconductor deviceen
dc.subjectp-n junctionen
dc.subjectcurrent-voltage characteristicen
dc.subjecterroren
dc.subject.udc536.53uk
dc.titleПостроение температурной модели p-n переходаuk
dc.title.alternativeПобудова температурної моделі p-n переходуuk
dc.title.alternativeBuilding temperature model of p-n junctionuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
pap-10.pdf
Розмір:
197.96 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Механіка гіроскопічних систем: науково-технічний збірник, Вип. 24