Вимірювальний стенд для дослідження впливу неоднорідної деформації на компоненти біполярних ІМС

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЗилевіч, Максим Олегович
dc.date.accessioned2020-03-03T10:22:56Z
dc.date.available2020-03-03T10:22:56Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractenIn this work, a bench was designed to study the effect of heterogeneous deformation on components of bipolar ICs. This stand is designed to measure the resistance of silicon resistors, voltage-current characteristics of diodes and transistors under the action of a known inhomogeneous deformation, with the display of received information on the screen of a personal computer for further processing. One of the important components of the reliability of the chips is the integrity and absence of external influences on the crystal in the case. The consequence of external influences is the deposition of the substrate of the crystal in the casing chip. This process causes inhomogeneous pressure on the crystal in the chip. This results in changes in the parameters and characteristics of the IC, which, in turn, causes the malfunction of the device or system as a whole. The purpose of this work is to design a bench for studying the effect of heterogeneous deformation on components of bipolar ICs. The stand should be characterized by precision and versatility of measurement, as well as the ability to regulate pressure acting on a similar basis. The stand is planned to be used for experimental study of the influence of delimitation on components of bipolar ICs, the construction of models of such influence, and justification for choosing methods for its compensation. Delamination is a process of bundle of composite material. In the case of a chip, this phenomenon occurs with the lining located between the crystal and the bottom of the case. The reasons for this process are the temperature and humidity variations in the environment, the uneven grip of the layers and the presence of cavities between them, as well as the defects in the materials and the housing. Over time, these factors lead to delamination, and in the process of bundle inside the case, the internal stress of the materials increases, which gradually increases up to the moment of a crack in the case, which will remove all internal stresses. The phenomenon described above causes heterogeneous deformation of the chip of the chip. Under heterogeneous deformation it is understood that the occurrence of local pressure acting on the surface of the crystal. Such pressure is sufficient to change the electrical characteristics of the components of the IC. Moreover, the greater the pressure, the greater the change in the parameters of the elements. The stand allows you to control the pressure in a wide range and is versatile to measure the electrical characteristics of different components of the chip. study of the influence of heterogeneous deformation on components of bipolar ICs. The stand includes a power source, a power sensor and a PC. For precision measurements, the Keithley 2100 multimeter was used. The Hameg HM7042-5 laboratory power supply was used to increase the accuracy of the measurement. The applied pressure is fixed using an analog sensor Tecsis F2210, whose signal is digitized by the chip HX711. Pressure control is due to the mechanical press. The booth's specialty is the low cost of implementation and the ease of its production. the possibility of configuring the components of the stand depending on the task of the study.uk
dc.description.abstractruВ работе спроектировано стенд для исследования влияния неоднородной деформации на компоненты биполярных ИМС. Данный стенд предназначен для измерения сопротивления кремниевых резисторов, вольт-амперных характеристик диодов и транзисторов под действием известной неоднородной деформации с отображением полученной информации на экран персонального компьютера для дальнейшей обработки. Стенд позволяет регулировать давление в широком диапазоне и является универсальным для измерения электрических характеристик различных компонентов микросхем.uk
dc.description.abstractukУ роботі спроектовано стенд для дослідження впливу неоднорідної деформації на компоненти біполярних ІМС. Даний стенд призначений для вимірювання опору кремнієвих резисторів, вольт-амперних характеристик діодів та транзисторів під дією відомої неоднорідної деформації з відображенням отриманої інформації на екран персонального комп’ютера для подальшої обробки. Стенд дозволяє регулювати тиск у широкому діапазоні та є універсальним для вимірювання електричних характеристик різних компонентів мікросхем.uk
dc.format.pagerangeС. 21-25uk
dc.identifier.citationЗилевіч, М. О. Вимірювальний стенд для дослідження впливу неоднорідної деформації на компоненти біполярних ІМС / Зилевіч М. О. // Електронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал. – 2019. – Т. 2, № 1. – С. 21–25. – Бібліогр.: 10 назв.uk
dc.identifier.doihttps://doi.org/10.20535/2617-0965.2019.2.1.162156uk
dc.identifier.issn2524-2725
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/32077
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.rights.urihttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.sourceЕлектронна та Акустична Інженерія : науково-технічний журнал, 2019, Том 2, № 1uk
dc.subjectдеформаціяuk
dc.subjectdeformationuk
dc.subjectтискuk
dc.subjectpressureuk
dc.subjectвольт-амперна характеристикаuk
dc.subjectvoltage-ampere characteristicuk
dc.subjectопірuk
dc.subjectresistanceuk
dc.subjectделамінаціяuk
dc.subjectdelaminationuk
dc.subjectдеформацияru
dc.subjectдавлениеru
dc.subjectвольт-амперная характеристикаru
dc.subjectсопротивлениеru
dc.subjectделаминацияru
dc.subject.udc621.391.26uk
dc.titleВимірювальний стенд для дослідження впливу неоднорідної деформації на компоненти біполярних ІМСuk
dc.title.alternativeMeasuring stand for investigation of the influence of inhomogeneous deformation on the bipolar mass componentsuk
dc.title.alternativeИзмерительный стенд для исследования влияния неоднородной деформации на компоненты биполярных ИМСru
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
EAI2019_2-1_04_Zylevich.pdf
Розмір:
554.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Основна стаття
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Електронна та Акустична Інженерія: науково-технічний журнал, Т. 2, № 1