Комп’ютерне моделювання впливу розмiрiв каналу на тепловi процеси у FinFET

dc.contributor.authorЩербина, О. В.
dc.contributor.authorГільчук, А. В.
dc.date.accessioned2019-10-09T11:51:10Z
dc.date.available2019-10-09T11:51:10Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractukПроведено комп’ютерне моделювання процесiв самонагрiву у 3D FinFET транзисторах. Дослiдження виконано з допомогою програмного пакету GTS TCAD Framework. Для числового моделювання використано модель дрейфу i дифузiї. Отримано розподiл температури за рiзних значень напруги на затворi. Дослiджено вплив розмiрiв пристрою на потужнiсть, що видiляється в процесi роботи та тепловий потiк, що вiдводиться.uk
dc.format.pagerangeС. 113–116uk
dc.identifier.citationЩербина, О. В. Комп’ютерне моделювання впливу розмiрiв каналу на тепловi процеси у FinFET / О. В. Щербина, А. В. Гiльчук // XVII Всеукраїнська науково-практична конференцiя студентiв, аспiрантiв та молодих вчених «Теоретичнi i прикладнi проблеми фiзики, математики та інформатики» (Україна, м. Київ, 25-26 квiтня 2019 р.) : матерiали конференцiї. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2019. – С. 113–116. – Бібліогр.: 8 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/29737
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceXVII Всеукраїнська науково-практична конференцiя студентiв, аспiрантiв та молодих вчених «Теоретичнi i прикладнi проблеми фiзики, математики та інформатики» (Україна, м. Київ, 25−26 квiтня 2019 р.) : матерiали конференцiїuk
dc.subjectFinFETuk
dc.subjectмодель дрейфу та дифузiїuk
dc.subjectсамонагрiв MOSFETuk
dc.subjectнадiйнiстьuk
dc.titleКомп’ютерне моделювання впливу розмiрiв каналу на тепловi процеси у FinFETuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
113-116.pdf
Розмір:
830.1 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: