Анализ процессов релаксации импульса и энергии в гетеротранзисторах с системами квантовых точек

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorТимофеев, В. И.
dc.contributor.authorФалеева, Е. М.
dc.contributor.authorТимофєєв, В. І.
dc.contributor.authorФалєєва, Є. М.
dc.contributor.authorTimofeyev, V. I.
dc.contributor.authorFaleyeva, E. M.
dc.date.accessioned2015-03-23T08:45:15Z
dc.date.available2015-03-23T08:45:15Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractenThe modeling and comparative analysis of the relaxation processes in four different heterostructures: traditional heterotransistor, heterotransistor with two channels (heterojunctions), heterotransistor with two channels and a system of quantum dots (QDs), as well as heterotransistor with two channels and two systems of quantum dots were made. It is shown that the heating of electrons in high electric fields in heterotransistors with embedded quantum dots with two heterojunctions is less intensive, and the values of the drift velocity is higher than in the other structures under study.uk
dc.description.abstractruПроведено моделирование и сравнительный анализ релаксационных характеристик для четырех различных гетероструктур: гетеротранзистора, гетеротранзистора с двумя каналами (гетеропереходами), гетеротранзистора с двумя каналами и системой квантовых точек, а также гетеротранзистора с двумя каналами и двумя системами квантовых точек. Показано, что разогрев носителей заряда в сильных электрических полях в гетеротранзисторах со встроенными квантовыми точками с двумя гетеропереходами менее интенсивен, а средние значения дрейфовой скорости выше, чем в других исследуемых структурах.uk
dc.description.abstractukУ статті наведені результати моделювання та порівняльний аналіз релаксаційних характеристик для чотирьох різних гетероструктур: традиційного гетеротранзистора, гетеротранзистора з двома каналами (гетеропереходами), гетеротранзистора з двома каналами і системою квантових точок, а також гетеротранзистора з двома каналами і двома системами квантових точок. Показано, що розігрів носіїв заряду в сильних електричних полях в гетеротранзисторах з вбудованими квантовими точками з двома гетеропереходами менш інтенсивний, а середні значення дрейфової швидкості вищі, ніж в інших досліджуваних структурах.uk
dc.format.pagerangeС. 21-24uk
dc.identifier.citationТимофеев В. И. Анализ процессов релаксации импульса и энергии в гетеротранзисторах с системами квантовых точек / В. И. Тимофеев, Е. М. Фалеева // Electronics and Communications : научно-технический журнал. – 2014. – Т. 19, № 6(83). – С. 21–24. – Бібліогр.: 7 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/11050
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ "КПІ"uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceElectronics and Communications : научно-технический журнал, Т. 19, № 6(83)uk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectгетеротранзисторru
dc.subjectквантовая точкаru
dc.subjectгетеротранзистор с системой квантовых точекru
dc.subjectдвухканальный гетеротранзистор с системой квантовых точекru
dc.subjectмеханизмы рассеянияru
dc.subjectвремя релаксации импульсаru
dc.subjectвремя релаксации энергииru
dc.subjectдвоканальний гетеротранзисторuk
dc.subjectквантова точкаuk
dc.subjectсистема квантових точокuk
dc.subjectгетеротранзистор з системою квантових точокuk
dc.subjectчас релаксації імпульсуuk
dc.subjectчас релаксації енергіїuk
dc.subjectheterotransistoren
dc.subjectheterojunctionen
dc.subjectquantum well (QW)en
dc.subjectquantum dots (QDs)en
dc.subject.udc621.382uk
dc.titleАнализ процессов релаксации импульса и энергии в гетеротранзисторах с системами квантовых точекuk
dc.title.alternativeАналіз процесів релаксації імпульсу і енергії в гетеротранзисторах з системами квантових точокuk
dc.title.alternativeAnalysis of relaxation processes of momentum and energy in heterotransistors with systems of quantum dotsuk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
4.pdf
Розмір:
312.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
1.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Electronics and Communications: научно-технический журнал, Т. 19, № 6(83)