Статистика для Моделювання впливу конфігурації джерела GaN на термоелектричні параметри апарата високого тиску в процесі перекристалізації його із системи Fe–Ga–N
Всього відвідувань
| views | |
|---|---|
| Моделювання впливу конфігурації джерела GaN на термоелектричні параметри апарата високого тиску в процесі перекристалізації його із системи Fe–Ga–N | 3 |
Всього відвідувань за місяць
| views | |
|---|---|
| січня 2025 | 0 |
| лютого 2025 | 0 |
| березня 2025 | 0 |
| квітня 2025 | 3 |
| травня 2025 | 0 |
| червня 2025 | 0 |
| липня 2025 | 0 |
Скачувань файлів
| views | |
|---|---|
| 59-63.pdf | 14 |
Топ за країнами
| views | |
|---|---|
| Гонконг, ОАР Китаю | 1 |
| Сінгапур | 1 |
Топ за містами
| views | |
|---|---|
| Hong Kong | 1 |
| Singapore | 1 |