(2019-06) Безручко, Марко Валерійович; Королевич, Любомир Миколайович
Роботу викладено на 67 сторінках, вона містить 3 розділів, 59 ілюстрацій, 6 таблиці та 19 джерел в переліку посилань.
Об’єктом дослідження став фоточутливий елемент на основі InSb утворений з імплантацією іонів берилію.
Предмет роботи – вольт-амперні характеристики фоточутливого елементу, профіль розподілу імплантованої домішки
Метою даної роботи є створення фоточутливого елементу на основі n-InSb, який працює при 77 К, та удосконалення його технологічного маршруту.
У першому інформаційно-аналітичному розділі роботи коротко надано відомості про детектори на основі InSb.
У другому розділі викладена інформація про основні процеси технологічного маршруту.
У третьому розділі удосконалюється процес виготовлення фотодіоду.