Бакалаврські роботи (ЕІ)

Постійне посилання зібрання

https://ela.kpi.ua/handle/123456789/21987

Переглянути

Перегляд Бакалаврські роботи (ЕІ) за Автор "Абдураїмова, Софія Арсеніївна"

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
  • Ескіз
    ДокументВідкритий доступ
    Аналіз теплових процесів у низькорозмірних транзисторних структурах
    (КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2024) Абдураїмова, Софія Арсеніївна; Семеновська, Олена Володимирівна
    Об’єктом розгляду є низькорозмірна транзисторна структура AlGaN/GaN. Предметом роботи є дослідження розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах шляхом математичного моделювання. Метою дослідження є визначення теплових параметрів низькорозмірних транзисторних структур на основі матеріалів типу A3B5, що дозволяє покращити якість та надійність цих структур на етапі їх розробки, а також зменшити витрати на виробництво та тестування. У першому розділі описуються основні характеристики низькорозмірних транзисторних структур, зокрема наноструктур і гетероструктур, а також їх властивості. Другий розділ присвячений різним методам теплового аналізу транзисторних структур: аналітичним, чисельним, еквівалентним, експериментальним та комбінованим методам. У цьому розділі розглядаються переваги та недоліки кожного методу. У третьому розділі представлена математична модель та алгоритм розрахунку транзисторної структури. Також визначаються граничні умови для структури. Четвертий розділ зосереджений на моделюванні розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах за різних параметрів, таких як довжина затвору та висота прошарків. Це дослідження спрямоване на вдосконалення розробки та експлуатації транзисторних структур, що використовуються у сучасних технологіях.