Аналіз теплових процесів у низькорозмірних транзисторних структурах
Вантажиться...
Дата
2024
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Об’єктом розгляду є низькорозмірна транзисторна структура AlGaN/GaN.
Предметом роботи є дослідження розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах шляхом математичного моделювання.
Метою дослідження є визначення теплових параметрів низькорозмірних транзисторних структур на основі матеріалів типу A3B5, що дозволяє покращити якість та надійність цих структур на етапі їх розробки, а також зменшити витрати на виробництво та тестування.
У першому розділі описуються основні характеристики низькорозмірних транзисторних структур, зокрема наноструктур і гетероструктур, а також їх властивості. Другий розділ присвячений різним методам теплового аналізу транзисторних структур: аналітичним, чисельним, еквівалентним, експериментальним та комбінованим методам. У цьому розділі розглядаються переваги та недоліки кожного методу. У третьому розділі представлена математична модель та алгоритм розрахунку транзисторної структури. Також визначаються граничні умови для структури. Четвертий розділ зосереджений на моделюванні розподілу температури у низькорозмірних транзисторних структурах за різних параметрів, таких як довжина затвору та висота прошарків. Це дослідження спрямоване на вдосконалення розробки та експлуатації транзисторних структур, що використовуються у сучасних технологіях.
Опис
Ключові слова
низькорозмірні транзисторні структури, методи теплового аналізу, розподіл поля
Бібліографічний опис
Абдураїмова, С. А. Аналіз теплових процесів у низькорозмірних транзисторних структурах : дипломна робота … бакалавра : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Абдураїмова Софія Арсеніївна. – Київ, 2024. – 76 с.