(КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2023) Сiряк, Т. В.; Гiльчук, А. В.
Дослiджено LP-MOCVD метод росту тонкої напiвпровiдникової плiвки GaAs, що базується на реакцiях хiмiчного осадження металоорганiчних сполук, а саме триетилгалiю (TEGа), при низькому тиску 3-50 Торр. Реагенти та носiї газу (водень) постачаються в реактор, де вони проходять ряд хiмiчних реакцiй на поверхнi пiдкладки, що призводить до вiдкладання тонкої плiвки GaAs на її поверхнi. Результати моделювання верифiкованi з експериментальними даними. Отримано значення швидкостi росту плiвки GaAs,графiкизалежностiвiдтемператури,тискута вхiдних умов.