Моделювання виробництва GaAs методом LP-MOCVD
Вантажиться...
Дата
2023
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Дослiджено LP-MOCVD метод росту тонкої напiвпровiдникової плiвки GaAs, що базується на реакцiях хiмiчного осадження металоорганiчних сполук, а саме триетилгалiю (TEGа), при низькому тиску 3-50 Торр. Реагенти та носiї газу (водень) постачаються в реактор, де вони проходять ряд хiмiчних реакцiй на поверхнi пiдкладки, що призводить до вiдкладання тонкої плiвки GaAs на її поверхнi. Результати моделювання верифiкованi з експериментальними даними. Отримано значення швидкостi росту плiвки GaAs,графiкизалежностiвiдтемператури,тискута вхiдних умов.
Опис
Ключові слова
LP-MOCVD, арсенiд галiю, хiмiчне осадження, тонкi плiвки
Бібліографічний опис
Сiряк, Т. В. Моделювання виробництва GaAs методом LP-MOCVD / Т. В. Сiряк, А. В. Гiльчук // XXI Всеукраїнська науково-практична конференція студентів, аспірантів та молодих вчених «Теоретичні і прикладні проблеми фізики, математики та інформатики» (Україна, м. Київ, 11-12 травня 2023 р.) : матеріали конференції. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2023. – С. 54-57.