Секція 3 «Комп'ютерне моделювання в хімії, комп'ютерні методи для синтезу нових речовин»

Постійне посилання зібрання

Зараз показуємо 1 - 1 з 1

Відкритий доступ
Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2)
(НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського», 2016) Ткачук, О. И; Теребинская, М. И.; Лобанов, В. В.; Ткачук, О. І.; Теребінська, М. І.; Лобанов, В. В.; Tkachuk, O.; Terebinska, M.; Lobanov, V.