Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2)
Дата
2016
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського»
Анотація
Опис
Ключові слова
гетеропереходы, остовные уровни, буклированная поверхность, димеризованная поверхность, гетеропереходи, остівні рівні, букльована поверхня, димеризована поверхня, heterojunctions, core levels, buckled surface, surface dimers
Бібліографічний опис
Ткачук, О. И. Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2) / О. И. Ткачук, М. И. Теребинская, В. В. Лобанов // Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016 : збірник наукових статей П’ятої міжнародної науково-практичної конференції, 18-20 травня 2016 року, м. Київ. – Київ : НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського», 2016. – С. 171-176. – Бібліогр.: 6 назв.