Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10266
Title: Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання
Other Titles: Оptical active area light-diodes parameters under influence of radiating radiation
Параметры оптически активной области светодиода под воздействием радиационного излучения
Authors: Руденко, Н. М.
Стужук, І. І.
Rudenko, N. N.
Stuguk, I. I.
Руденко, Н. Н.
Стужук, И. И.
Keywords: світлодіоди
радіоактивна стійкість світлодіодів
light-emitting diodes
radioactivity stability semiconductor
светодиоды
радиоактивная стойкость светодиодов
Issue Date: 2009
Publisher: НТУУ «КПІ»
Citation: Руденко, Н. М. Параметри оптично активної області світлодіоду під впливом радіаційного випромінювання / Н. М. Руденко, І. І. Стужук // Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування : збірник наукових праць. – 2009. – № 39. – С. 126–130. – Бібліогр.: 3 назви.
URI: https://ela.kpi.ua/handle/123456789/10266
Appears in Collections:Вісник НТУУ «КПІ». Радіотехніка, радіоапаратобудування: збірник наукових праць, № 39

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
26.pdf330.07 kBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.