Релаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ям
Вантажиться...
Дата
2019
Автори
Байда, Ірина Петрівна
Куліков, Костянтин Вячеславович
Москалюк, Володимир Олександрович
Тимофєєв, Володимир Іванович
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Опис
Ключові слова
механізми розсіювання, сплавний потенціал, часи релаксації, субмікронні гетероструктурні транзистори, квантові ями, scattering mechanisms, alloy scattering, relaxation times, submicrometer hеterostructure transistors, quantum walls, механизмы рассеивания, сплавной потенциал, времена релаксации, субмикронные гетероструктурные транзисторы, квантовые ямы
Бібліографічний опис
Релаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ям / Байда І. П., Куліков К. В., Москалюк В. О., Тимофєєв В. І. // Мікросистеми, Електроніка та Акустика : науково-технічний журнал. – 2019. – Т. 24, № 2(109). – С. 14–24. – Бібліогр.: 45 назв.