Високовибірні резонансно-тунельні кристалоподібні пристрої обробки сигналів

Abstract

Звіт про НДР: 118 с., 57 рис., 2 табл., 52 джерела. Об’єкт дослідження — кристалоподібні структури та пристрої на їх основі. Мета роботи — розробка методів моделювання та технічних рішень високоефективних резонансно-тунельних кристалоподібних структур та пристроїв на їх основі. Методи дослідження — розробка моделей та комп`ютерне моделювання резонансно-тунельних кристалоподібних структур та пристроїв на їх основі, експериментальні дослідження характеристик макетів пристроїв. Наноелектронні пристрої обробки сигналів на основі кристалоподібних структур є новітньою елементною базою інформаційних та телекомунікаційних систем. Запропоновано узагальнену модель резонансно-тунельних кристалоподібних структур на основі концепції імпедансу. Розроблено методи аналізу та моделі таких структур та пристроїв. Перевага імпедансного підходу у фізичній наочності, можливості синтезу структур з заданими характеристиками. Розроблено оригінальні технічні рішення високоефективних структур та пристроїв. Розроблено макети пристроїв та виконано їх експериментальне дослідження. Створено методику проектування резонансно-тунельних кристалоподібних пристроїв. Результати НДР упроваджено в навчальний процес в навчальних дисциплінах, при підготовці дисертаційних та атестаційних робіт. Результати роботи можуть бути реалізовані на підприємствах радіоелектронного профілю (ДП завод “Арсенал”, НВП “Сатурн” та ін.), у відповідних навчальнах закладах України. Прогнозні припущення щодо розвитку об`єкта дослідження — розширення функціональності, областей застосування та підвищення технологічності.