Specifics of designing an infrared pyrometer-reflectometer for semiconductor heterostructure fabrication
Вантажиться...
Дата
2024
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Для усіх типів реакторів для технології газофазної епітаксії з використанням металоорганічних сполук AIII-BV існують загальні технічні вимоги. Серед них варто виділити великі градієнти температури, що спричиняють
виникнення конвекційний петель, які, в свою чергу, враховуючи високу швидкість газового потоку, призводять
до турбулентності в реакторі замість очікуваного ламінарного потоку. Важливим також є врахування зміни
параметрів поверхні пластини в процесі росту та необхідність розрізнення корисного сигналу з поверхні пла-
стини та фонового сигналу з тримача пластин, що обертається для рівномірного осадження сполук.
Для отримання якісних гетероструктур з відтворюваними параметрами важливо мати систему точного контро-
лю температури на поверхні пластини безпосередньо в області осадження, оскільки процес осадження для ба-
гатьох складних напівпровідникових приладів (наприклад, лазерні діоди, світлодіоди, фотодіоди, транзистори
на гетеропереходах) дуже чутливий до змін температури. Метод оптичної пірометрії є безконтактним, що
дозволяє прецизійно визначати температуру поверхні пластини та відповідає технічним вимогам ростових
реакторів технології газофазної епітаксії.
Дана стаття присвячена особливостям розробки оптоелектронних систем для прецизійного вимірювання темпе-
ратури під час епітаксійного росту з метою визначення критеріїв для вибору або розробки компонент
оптоелектронної системи пірометра-рефлектометра. В роботі досліджені основні фізичні процеси, електро-
оптичні характеристики Si фотодіода, AlGaAs/GaAs світлодіода та параметри смугових інтерференційних
фільтрів.
На основі аналізу отриманих результатів досліджень і вимірювань розроблено наукові рекомендації щодо вибо-
ру та оптимізації параметрів компонентів пірометра (фотоприймачів, світлодіодів, оптичних фільтрів) з метою
підвищення точності вимірювань та температурної стабільності вимірювання в умовах експлуатації пірометрів,
які враховують компенсацію зміни випромінювальної здатності поверхні пластини.
Опис
Ключові слова
Бібліографічний опис
Specifics of designing an infrared pyrometer-reflectometer for semiconductor heterostructure fabrication / Andriy Voronko, Denys Novikov, Dmytro Verbitskiy, Maksym Chmyr, Oleksandr Voloshyn, Oleksii Belkevych, Marharyta Holubets // Вісник КПІ. Серія Приладобудування : збірник наукових праць. – 2024. – Вип. 67(1). – С. 25-30. – Бібліогр.: 13 назв.