Електрофізичні властивості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorКоваль, Вікторія Михайлівна
dc.contributor.authorЗадорожний, Олександр Олегович
dc.date.accessioned2018-05-21T08:03:11Z
dc.date.available2018-05-21T08:03:11Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractenThe work presented on 94 pages consists of 5 parts, 38 figures, 26 tables and 34 sources in the list of references. The object of study is semiconductor structures based on nanosilicon. The subject of work - evaluation of the quality of the interfaces in semiconductor structures, based on nanosilicon. The purpose of the work is to research electro-physical properties of the interfaces in semiconductor structures based on nanosilicon. The first section provides an overview of the literature, which addresses the analysis theoretical basics of operation of semiconductor structures. In the second chapter of work, overview of analysis methods and evaluation of the quality of interfaces in semiconductor structures were conducted. In the third section, the results of researches of electro-physical properties of the interfaces in semiconductor structures based on nanosilicon are presented. In the fourth section, the results of impact of the quality of interfaces in semiconductor structures, based on nanosilicon are presented. In the fifth section the startup project development followed from the carried out thesis is described.uk
dc.description.abstractukРоботу викладено на 94 сторінках, вона містить 5 розділів, 38 ілюстрацій, 26 таблиць і 34 джерела в переліку посилань. Об’єктом дослідження є напівпровідникові структури на основі нанокремнію. Предмет роботи – оцінка якості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію. Мета роботи – дослідити електрофізичні властивості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію. В першому розділі подано огляд літератури, в якому розглядається аналіз теоретичних основ роботи напівпровідникових структур. В другому розділі роботи проводився огляд методів аналізу та оцінки якості межі поділу напівпровідникових структур. В третьому розділі наводяться результати дослідження електрофізичних властивостей межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію. В четвертому розділі наводяться результати дослідження впливу якості межі поділу на характеристики гетероструктурних фотоварікапів на основі нанокремнію. В п’ятому розділі описана розробка старт-ап проекту на основі виконаної дисертаційної роботи.uk
dc.format.page93 с.uk
dc.identifier.citationЗадорожний, О. О. Електрофізичні властивості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремнію : магістерська дис. : 153 Мікро- та наносистемна техніка / Задорожний Олександр Олегович. – Київ, 2018. – 93 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/22970
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectгетероструктураuk
dc.subjectнанокремнійuk
dc.subjectфотоварікапuk
dc.subjectнапівпровідникиuk
dc.titleЕлектрофізичні властивості межі поділу напівпровідникових структур на основі нанокремніюuk
dc.typeMaster Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Zadorozhnyi_magistr.pdf
Розмір:
1.6 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.8 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Магістерські роботи (МЕ)
Магістерські роботи