Применение галлий-нитридных транзисторов (GaN FET) в системах питания современной РЭА
Вантажиться...
Дата
2019
Автори
Бурковский, Я. Ю.
Арсенюк, Д. О.
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
КПІ ім. Ігоря Сікорського
Анотація
Опис
Ключові слова
галій-нітрид, GaN, MOSFET, buck-конвертер, живлення РЕА, gallium nitride, GaN, MOSFET, buck converter, switch-mode PSU, галлий-нитрид, GaN, MOSFET, buck-конвертер, питание РЭА
Бібліографічний опис
Бурковский, Я. Ю. Применение галлий-нитридных транзисторов (GaN FET) в системах питания современной РЭА / Бурковский Я. Ю., Арсенюк Д. О. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 18-24 листопада 2019 р., м. Київ, Україна / КПІ ім. Ігоря Сікорського, РТФ. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2019. – С. 79–81.