Кремнійовий датчик температури

dc.contributor.advisorЖовнір, Микола Федорович
dc.contributor.authorЯцкін, Віктор Віталійович
dc.date.accessioned2019-08-28T15:51:57Z
dc.date.available2019-08-28T15:51:57Z
dc.date.issued2019-06
dc.description.abstractenIn baccalaureate work are resulted: theoretical bases of measurement of temperature; results theoretical and experimental researches of silicon sensor controls of temperature on a basis p-n transitions. The integrated converter of temperature (270…400 К) constructed on 12-ти p-n transitions and MDS-transistor has: a limiting voltage 7,7V; temperature factor , and average temperature sensitivity 0,1 V/ 0 С.uk
dc.description.abstractukВ бакалаврській роботі приведені: теоретичні основи вимірювання температури; результати теоретичних та експериментальних досліджень кремнійових сенсорів температури на основі p-n переходів. Інтегральний перетворювач температури (270…400 К) , побудований на 12-ти p-n переходах і МОН –транзисторі має: граничну напругу 7,7 В; температурний коефіцієнт , а середню температурну чутливість 0,1 В/ 0 С .uk
dc.format.page65 с.uk
dc.identifier.citationЯцкін, В. В. Кремнійовий датчик температури : дипломна робота ОКР «Бакалавр» : 171 Електроніка / Яцкін Віктор Віталійович. – Київ, 2019. – 65 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/28968
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectтемпературний коефіцієнт опоруuk
dc.subjectфото-ЕРСuk
dc.subjectкремній з діелектричною ізоляцієюuk
dc.subjectМОН-транзисторuk
dc.subjectконтактна різниця потенціалівuk
dc.subjectтемператураuk
dc.titleКремнійовий датчик температуриuk
dc.typeBachelor Thesisuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Вантажиться...
Ескіз
Назва:
Yatskin_bakalavr.pdf
Розмір:
1.53 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.06 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: