Нанотемплети для гетероструктур нітридів III групи

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorОсінський, Володимир Іванович
dc.contributor.authorСуховій, Ніна Олегівна
dc.date.accessioned2018-11-09T17:12:10Z
dc.date.available2018-11-09T17:12:10Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractukДисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню застосувань і розробок технологічних рішень щодо формування нанотемплетів для гетероструктур ІІІ-нітридів, в тому числі з неполярною кристалографічною орієнтацією, щодо забезпечення малодефектності і можливості одержання наноструктур (наностержнів, квантових точок, тощо) для їх практичної реалізації в оптоелектронних інтегральних схемах. В ході досліджень для нітрид галію неполярної (112̅0) орієнтації з використанням нанотемплетів анодованого оксиду алюмінію на Si(100) одержано щільність дислокацій 3х106 см-2, що дає змогу формувати InGaN/GaN КЯ і КТ з підвищеним вмістом індію. Згідно запропонованої спрощеної математичної моделі, встановлено, що може бути забезпечена низька щільність дислокацій при будь-якій глибині пір при радіусах пір < 10 нм, одержання яких за допомогою нанотемплетів анодного оксиду алюмінію дуже проблематично. Проте, для MOCVD епітаксії були експериментально визначені термодинамічні параметри (температура, тиск) та прекурсори, при яких на поверхні сапфіру утворюються нанопори з радіусом <10нм. На одержаних темплетах нанотекстурованого сапфіру була показана можливість в одному технологічному циклі вирощувати гетероепітаксійні шари ІІІ-нітридів з низькою щільністю дислокацій (~ 5 х 106 см-2). Ключові слова: нанотемплети, гетероструктури, нітриди ІІІ групи, малодефектність, анодований оксид алюмінію.uk
dc.format.page130 с.uk
dc.identifier.citationСуховій, Н. О. Нанотемплети для гетероструктур нітридів III групи : дис. … канд. техн. наук : 05.27.01 – твердотільна електроніка / Суховій Ніна Олегівна. – Київ, 2018. – 130 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/24998
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectнанотемплетиuk
dc.subjectгетероструктуриuk
dc.subjectнітриди ІІІ групиuk
dc.subjectмалодефектністьuk
dc.subjectанодований оксид алюмініюuk
dc.subjectnanotemplateuk
dc.subjectheterostructuresuk
dc.subjectnitrides of the III groupuk
dc.subjectlittle defectuk
dc.subjectanodized aluminum oxideuk
dc.subjectphotodetectorsuk
dc.subjectнанотемплетыuk
dc.subjectгетероструктурыuk
dc.subjectнитриды III группыuk
dc.subjectмалодефектностьuk
dc.subjectанодированный оксид алюминияuk
dc.subject.udc621.382+621.383]:546.2(0.43.3)uk
dc.titleНанотемплети для гетероструктур нітридів III групиuk
dc.typeThesis Doctoraluk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Sukhoviii_diss.pdf
Розмір:
4.13 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Дисертації (МЕ)
Дисертації (вільний доступ)