Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.advisorШвець, Євгеній Якович
dc.contributor.authorДмитрієв, Вадим Сергійович
dc.date.accessioned2019-09-16T12:02:12Z
dc.date.available2019-09-16T12:02:12Z
dc.date.issued2019
dc.descriptionРоботу виконано на кафедрі мікроелектронних інформаційних систем Інженерного інституту Запорізького національного університету Міністерства освіти і науки України.uk
dc.description.abstractukДисертація на здобуття наукового ступеня кандидата технічних наук за спеціальністю 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки. – Інженерний інститут Запорізького національного університету, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2019. Дисертаційну роботу присвячено розробці технології відтворюваного отримання омічних та інжектуючих бар’єрних переходів на основі срібла до арсеніду галію n-типу провідності. Розроблено технологію відтворюваного отримання омічних контактів Ag-Ge-In/n-n+GaAs, яка забезпечує лінійну ВАХ, коефіцієнт інжекції γ=0,07…0,00, контактний опір (5…7)∙10-5 Ом∙см2. Розроблено технологію відтворюваного отримання інжектуючих бар`єрних переходів Ag/n-n+GaAs з висотою потенційного бар’єру 0,98 В, коефіцієнтом інжекції γ =10-8, коефіцієнтом неідеальності η=1,087. Розроблені технології нанесення контактного матеріалу та режимів термообробки при створенні омічних та інжектуючих бар’єрних переходів рекомендуються до використання при виготовленні багатоелектродного МЕП-приладу з розширеними функціональними можливостями, до складу якого входять керуючі електроди, розташовані над областю розповсюдження біжучої хвилі.uk
dc.format.page184 с.uk
dc.identifier.citationДмитрієв, В. С. Омічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галію : дис. … канд. техн. наук : 05.27.06 – технологія, обладнання та виробництво електронної техніки / Дмитрієв Вадим Сергійович. – Київ, 2019. – 184 с.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/29304
dc.language.isoukuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.subjectGaAsuk
dc.subjectомічні та інжектуючі бар’єрні переходиuk
dc.subjectкоефіцієнт інжекціїuk
dc.subjectсріблоuk
dc.subjectпотрійний сплавuk
dc.subjectМЕП-приладuk
dc.subjectohmic and injection barrier transitionsuk
dc.subjectinjection rateuk
dc.subjectsilveruk
dc.subjecttriple alloysuk
dc.subjectIET-devicesuk
dc.subjectомические и инжектирующие барьерные переходыuk
dc.subjectкоэффициент инжекцииuk
dc.subjectсереброuk
dc.subjectтройной сплавuk
dc.subjectМЭП-приборuk
dc.subject.udc621.382.2/3uk
dc.titleОмічні та інжектуючі бар’єрні переходи до арсеніду галіюuk
dc.typeThesis Doctoraluk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Dmytriiev_diss.pdf
Розмір:
5.79 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
8.98 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Дисертації (вільний доступ)