Низькотемпературні ємнісні елементи на основі ниткоподібних кристалів кремнію

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДружинін, А. О.
dc.contributor.authorОстровський, І. П.
dc.contributor.authorХоверко, Ю. М.
dc.contributor.authorКорецький, Р. М.
dc.date.accessioned2021-03-19T10:19:19Z
dc.date.available2021-03-19T10:19:19Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractenThe paper deals with studies of impedance spectroscopy of Si whiskers with doping concentration 5∙1017 – 1018 cm-3 corresponding to metal-insulator transition in the region of low (4,2–30 K) temperatures. The semiconductor reactive element with capacity impedance has been proposed based on Si whiskers, which can operate in the range of low temperatures.uk
dc.description.abstractruНа основе импедансных исследований НК Si с концентрацией легирующей примеси 5∙1017 –1018 см-3, что соответствует диэлектрической стороне перехода металлдиэлектрик, предложено возможность создания полупроводниковых реактивных элементов с емкостным імпедансом, работоспособных при низких температурах 4,2–30К.uk
dc.description.abstractukНа основі імпедансних досліджень НК Si з концентрацією легуючої домішки 5∙1017 –1018 см-3, що відповідає діелектричному боку переходу метал-діелектрик, запропоновано можливість створення напівпровідникових реактивних елементів з ємнісним імпедансом, працездатних за низьких температур 4,2–30К.uk
dc.format.pagerangeС. 236–238uk
dc.identifier.citationНизькотемпературні ємнісні елементи на основі ниткоподібних кристалів кремнію / Дружинін А. О., Островський І. П., Ховерко Ю. М., Корецький Р. М. // Міжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції 16–22 березня 2015 р., м. Київ, Україна / КПІ ім. Ігоря Сікорського, РТФ. – Київ : КПІ ім. Ігоря Сікорського, 2015. – С. 236–238. – Бібліогр.: 4 назви.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/40109
dc.language.isoukuk
dc.publisherКПІ ім. Ігоря Сікорськогоuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.sourceМіжнародна науково-технічна конференція «Радіотехнічні поля, сигнали, апарати та системи» : матеріали конференції, 16–22 березня 2015 р., м. Київ, Українаuk
dc.subjectниткоподібні кристалиuk
dc.subjectімпедансuk
dc.subjectємністьuk
dc.subjectнитевидные кристаллыuk
dc.subjectимпедансuk
dc.subjectемкостьuk
dc.subjectimpedanceuk
dc.subjectwhiskersuk
dc.subjectcapacitoruk
dc.titleНизькотемпературні ємнісні елементи на основі ниткоподібних кристалів кремніюuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
RTPSAS_2015_s7_t03.pdf
Розмір:
396.91 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.01 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Секція 7. Мікроелектроніка. Функціональна та наноелектроніка