Створення енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці, середовищ та пристроїв перспективної універсальної електронної пам’яті
Ескіз недоступний
Дата
2014
Автори
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут»
Анотація
Звіт по НДР: 119 стор., 35 табл., 46 рис., 99 джерел.
Об’єкт дослідження: енергонезалежні запам’ятовуючі пристрої на основі сегнетоелектричних матеріалів, суміщених з напівпровідниковими структурами, для використання в якості універсальної електронної пам’яті.
Метою роботи є створення технології проектування та виготовлення середовищ енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці з руйнівним та неруйнівним зчитуванням зі структурами конденсатор – транзистор та транзистор з сегнетоелектричним затвором для універсальної електронної пам’яті, які не поступаються за розмірами елементам динамічної пам’яті та флеш. В мету роботи також входить створення основ технології осадження та іонного травлення сегнетоелектричних плівок та електродних контактних шарів.
Розроблено засоби і технологія проектування та виготовлення енергонезалежних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці та пристроїв на основі масивів конденсаторів, об’єднаних в матричний накопичувач. Опрацьовано метод та засоби ВЧ плазмового розпилення монолітних керамічних мішеней на основі сполук з оксидів цирконію, титану, свинцю в напрямку зменшення товщини плівки з різними типами матеріалів електродних шарів. Отримано плівку цирконату-титанату свинцю 30-50 нм з покращеними властивостями на електродних шарах Co0,7Ni0,3O1+δ на основі розроблених автономних магнетронних та ВЧ-діодних джерел розпилення та реактивного осадження компонентів сегнетоелектричної плівки з ультразвуковою стимуляцією на нерухомі та рухомі підкладки. Створені джерела забезпечують побудову компактних систем пошарового реактивного осадження на підкладки великих розмірів, а також спрощення одночасного використання постійного та НЧ струму у ВЧ процесі для управління швидкістю осадження окремих компонентів та їх сполук з киснем. Розроблено експериментальний зразок запам’ятовуючого пристрою з сегнетоелектричних конденсаторів, об’єднаних в матричний накопичувача ємністю 256 біт. Створено математичну модель пристрою, виконано комп’ютерне моделювання та досліджено швидкодію запису і зчитування та стійкість збереження інформації для створеного методу запису з рівнем перешкод в 1/4 частину сигналу запису. Запропонований метод запису забезпечує швидкодію запису, зчитування в 10-100 нс та стійкість збереження в 10*9-10*12 циклів запису, що підтверджує можливість побудови на матрицях з сегнетоєлектричних конденсаторів пристроїв зовнішньої пам’яті по швидкодії наближених до оперативної.
Опис
Ключові слова
сегнетоелектричні плівки, запам’ятовуючі елементи та пристрої, технологія, моделювання, проектування
Бібліографічний опис
Створення енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці, середовищ та пристроїв перспективної універсальної електронної пам’яті : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Я. Мартинюк. - К., 2014. - 119 л. + CD-ROM. - Д/б №2666-п