Створення енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці, середовищ та пристроїв перспективної універсальної електронної пам’яті
| dc.contributor.advisor | Мартинюк, Я. | |
| dc.contributor.researchgrantor | Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» | uk |
| dc.date.accessioned | 2015-10-06T16:36:12Z | |
| dc.date.available | 2015-10-06T16:36:12Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description.abstract | Звіт по НДР: 119 стор., 35 табл., 46 рис., 99 джерел. Об’єкт дослідження: енергонезалежні запам’ятовуючі пристрої на основі сегнетоелектричних матеріалів, суміщених з напівпровідниковими структурами, для використання в якості універсальної електронної пам’яті. Метою роботи є створення технології проектування та виготовлення середовищ енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці з руйнівним та неруйнівним зчитуванням зі структурами конденсатор – транзистор та транзистор з сегнетоелектричним затвором для універсальної електронної пам’яті, які не поступаються за розмірами елементам динамічної пам’яті та флеш. В мету роботи також входить створення основ технології осадження та іонного травлення сегнетоелектричних плівок та електродних контактних шарів. Розроблено засоби і технологія проектування та виготовлення енергонезалежних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці та пристроїв на основі масивів конденсаторів, об’єднаних в матричний накопичувач. Опрацьовано метод та засоби ВЧ плазмового розпилення монолітних керамічних мішеней на основі сполук з оксидів цирконію, титану, свинцю в напрямку зменшення товщини плівки з різними типами матеріалів електродних шарів. Отримано плівку цирконату-титанату свинцю 30-50 нм з покращеними властивостями на електродних шарах Co0,7Ni0,3O1+δ на основі розроблених автономних магнетронних та ВЧ-діодних джерел розпилення та реактивного осадження компонентів сегнетоелектричної плівки з ультразвуковою стимуляцією на нерухомі та рухомі підкладки. Створені джерела забезпечують побудову компактних систем пошарового реактивного осадження на підкладки великих розмірів, а також спрощення одночасного використання постійного та НЧ струму у ВЧ процесі для управління швидкістю осадження окремих компонентів та їх сполук з киснем. Розроблено експериментальний зразок запам’ятовуючого пристрою з сегнетоелектричних конденсаторів, об’єднаних в матричний накопичувача ємністю 256 біт. Створено математичну модель пристрою, виконано комп’ютерне моделювання та досліджено швидкодію запису і зчитування та стійкість збереження інформації для створеного методу запису з рівнем перешкод в 1/4 частину сигналу запису. Запропонований метод запису забезпечує швидкодію запису, зчитування в 10-100 нс та стійкість збереження в 10*9-10*12 циклів запису, що підтверджує можливість побудови на матрицях з сегнетоєлектричних конденсаторів пристроїв зовнішньої пам’яті по швидкодії наближених до оперативної. | |
| dc.format.page | 119 л. | uk |
| dc.identifier | КВНТД I.2 12.13.05 | |
| dc.identifier | Д/б №2666-п | |
| dc.identifier.citation | Створення енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці, середовищ та пристроїв перспективної універсальної електронної пам’яті : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Я. Мартинюк. - К., 2014. - 119 л. + CD-ROM. - Д/б №2666-п | uk |
| dc.identifier.govdoc | 0113U002097 | |
| dc.identifier.uri | https://ela.kpi.ua/handle/123456789/12670 | |
| dc.language.iso | uk | uk |
| dc.publisher | Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» | uk |
| dc.rights | Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу. | uk |
| dc.status.pub | published | uk |
| dc.subject | сегнетоелектричні плівки | uk |
| dc.subject | запам’ятовуючі елементи та пристрої | uk |
| dc.subject | технологія | uk |
| dc.subject | моделювання | uk |
| dc.subject | проектування | uk |
| dc.subject.udc | 681.327.66 | uk |
| dc.title | Створення енергонезалежних нанорозмірних запам’ятовуючих елементів на надтонкій сегнетоелектричній плівці, середовищ та пристроїв перспективної універсальної електронної пам’яті | uk |
| dc.title.alternative | Опрацювання процесів осадження та травлення нанорозмірних сегнетоелектричних плівок та електродних шарів | |
| dc.title.alternative | Розроблення математичних та комп’ютерних моделей для засобів автоматизованого проектування сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів та пристроїв | |
| dc.type | Technical Report | uk |
| thesis.degree.level | - | uk |