Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2)

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorТкачук, О. И
dc.contributor.authorТеребинская, М. И.
dc.contributor.authorЛобанов, В. В.
dc.contributor.authorТкачук, О. І.
dc.contributor.authorТеребінська, М. І.
dc.contributor.authorЛобанов, В. В.
dc.contributor.authorTkachuk, O.
dc.contributor.authorTerebinska, M.
dc.contributor.authorLobanov, V.
dc.date.accessioned2016-12-15T12:28:19Z
dc.date.available2016-12-15T12:28:19Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractenCalculations (DFT, B3LYP, 6-31 G**) chemical shifts of the components 3d5/2 of core level of germanium atoms adsorbed on the reconstructed Si(001)(2×4) face have shown that their chemical shift depends on the configuration of the adsorption complex. When introducing a germanium atoms into the crystalline substrate shift is positive, and the introduction of two atoms leads to the chemical shift negative.uk
dc.description.abstractruРасчеты (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) химических сдвигов компоненты 3d5/2 остовного 3d уровня атомов германия, адсорбированных на реконструированной грани Si(001)(4×2), показали, что их химический сдвиг зависит от конфигурации адсорбционного комплекса. При внедрении одного атома германия в кристаллическую подложку сдвиг положителен, а внедрение двух атомов приводит к отрицательному химическому сдвигу.uk
dc.description.abstractukРозрахунки (ТФП, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти 3d5/2 остівного рівня атомів германію, адсорбованих на реконструйованій грані Si(001)(2×4), показали, що їх хімічний зсув залежить від конфігурації адсорбційного комплексу. При впровадженні одного атома германію у кристалічну підкладинку зсув позитивний, а впровадження двох атомів призводить до негативного хімічному зсуву.uk
dc.event.date2016-05-18
dc.event.placeКиївuk
dc.format.pagerangeС. 171-176uk
dc.identifier.citationТкачук, О. И. Положение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2) / О. И. Ткачук, М. И. Теребинская, В. В. Лобанов // Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016 : збірник наукових статей П’ятої міжнародної науково-практичної конференції, 18-20 травня 2016 року, м. Київ. – Київ : НТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського», 2016. – С. 171-176. – Бібліогр.: 6 назв.uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/18316
dc.language.isoruuk
dc.publisherНТУУ «КПІ ім. Ігоря Сікорського»uk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.source.nameКомп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку – КМХТ-2016 : збірник наукових статей П’ятої міжнародної науково-практичної конференціїuk
dc.status.pubpublisheduk
dc.subjectгетеропереходыuk
dc.subjectостовные уровниuk
dc.subjectбуклированная поверхностьuk
dc.subjectдимеризованная поверхностьuk
dc.subjectгетеропереходиuk
dc.subjectостівні рівніuk
dc.subjectбукльована поверхняuk
dc.subjectдимеризована поверхняuk
dc.subjectheterojunctionsuk
dc.subjectcore levelsuk
dc.subjectbuckled surfaceuk
dc.subjectsurface dimersuk
dc.subject.udc54118:544:72uk
dc.titleПоложение остовного уровня Ge(3d5/2) в зависимости от конфигурации адсорбционных комплексов Ge на грани Si(001)(4×2)uk
dc.title.alternativeПоложення остівного рівня Ge(3d5/2) в залежності від конфігурації адсорбційних комплексів Ge на грані Si(001)(4×2)uk
dc.title.alternativeCore level position Ge(3d5/2) in dependence of the configuration adsorption Ge complexes on the face of Si(001)(4×2)uk
dc.title.eventП'ята міжнародна наукова-практична конференція «Комп’ютерне моделювання в хімії і технологіях та системах сталого розвитку»uk
dc.typeArticleuk
thesis.degree.level-uk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Ткачук О.И., Теребинская М.И., Лобанов В.В. .pdf
Розмір:
1.21 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
7.71 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Секція 3 «Комп'ютерне моделювання в хімії, комп'ютерні методи для синтезу нових речовин»