Influence of temperature on photoresistors obtained on the basis of compensated silicon
Вантажиться...
Дата
2021
Науковий керівник
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут відновлюваної енергетики НАНУ
Анотація
An experimental study of the kinetics of
photoconductivity of a resistor by impurity centers based on
compensated silicon has been carried out. The parameters
characteristic of the control silicon with radiation impurities are
investigated. The electrical resistances of irradiated n+-n-n+
-structures are changed on temperature for silicon with different
initial samples
Опис
Ключові слова
semiconductor, photoconductivity, resistance, radiation technology, concentration of charge carriers, радіаційні технології., концентрація носіїв заряду, напівпровідник, фотопровідність, опір
Бібліографічний опис
Influence of temperature on photoresistors obtained on the basis of compensated silicon / Sh. Makhkamov, Sh. A. Makhmudov, A. A. Sulaimоnov, A. K. Rafikov // Відновлювана енергетика та енергоефективність у XXI столітті : матеріали XXІІ міжнародної науково-практичної конференції (20-21 травня 2021 р.). – Київ : Інститут відновлюваної енергетики НАНУ, 2021. – С. 502-509.