Influence of temperature on photoresistors obtained on the basis of compensated silicon

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorMakhkamov, Sh.
dc.contributor.authorMakhmudov, Sh. A.
dc.contributor.authorSulaimоnov, A. A.
dc.contributor.authorRafikov, A. K.
dc.date.accessioned2023-12-27T09:16:30Z
dc.date.available2023-12-27T09:16:30Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractAn experimental study of the kinetics of photoconductivity of a resistor by impurity centers based on compensated silicon has been carried out. The parameters characteristic of the control silicon with radiation impurities are investigated. The electrical resistances of irradiated n+-n-n+ -structures are changed on temperature for silicon with different initial samplesuk
dc.description.abstractotherПроведено експериментальне дослідження кінетики фотопровідності резистора домішковими центрами на основі компенсованого кремнію. Досліджено параметри, характерні для контрольного кремнію з радіаційними домішками. Змінено електроопору опромінених n+-n-n+ -структур від температури для кремнію з різними вихідними зразками.uk
dc.format.pagerangeС. 502-509uk
dc.identifier.citationInfluence of temperature on photoresistors obtained on the basis of compensated silicon / Sh. Makhkamov, Sh. A. Makhmudov, A. A. Sulaimоnov, A. K. Rafikov // Відновлювана енергетика та енергоефективність у XXI столітті : матеріали XXІІ міжнародної науково-практичної конференції (20-21 травня 2021 р.). – Київ : Інститут відновлюваної енергетики НАНУ, 2021. – С. 502-509.uk
dc.identifier.orcid0000-0003-0182-3917uk
dc.identifier.urihttps://ela.kpi.ua/handle/123456789/63382
dc.language.isoenuk
dc.publisherІнститут відновлюваної енергетики НАНУuk
dc.publisher.placeКиївuk
dc.relation.ispartofВідновлювана енергетика та енергоефективність у XXI столітті: матеріали XXІІ міжнародної науково-практичної конференції (Київ, 20-21 травня 2021 р.)uk
dc.subjectsemiconductoruk
dc.subjectphotoconductivityuk
dc.subjectresistanceuk
dc.subjectradiation technologyuk
dc.subjectconcentration of charge carriersuk
dc.subjectрадіаційні технології.uk
dc.subjectконцентрація носіїв зарядуuk
dc.subjectнапівпровідникuk
dc.subjectфотопровідністьuk
dc.subjectопірuk
dc.subject.udc621.315.592uk
dc.titleInfluence of temperature on photoresistors obtained on the basis of compensated siliconuk
dc.title.alternativeВплив температури на фоторезистори, отримані на основі компенсованого кремніюuk
dc.typeArticleuk

Файли

Контейнер файлів
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
tezy2021-502-509.pdf
Розмір:
423.18 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити
Ліцензійна угода
Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
9.01 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Зібрання

Відновлювана енергетика та енергоефективність у XXI столітті (22 ; 2021 ; Київ)